新材料系列报告之六_存储器量产元年临近_前驱体材料国产化势在必行_22页_1mb

报告摘要

存储器国产化与前驱体材料发展报告总结

核心内容

存储器国产化势在必行：中国半导体芯片严重依赖进口，存储器作为集成电路最大细分市场，其国产化对国家信息安全至关重要。2019年有望成为存储器量产元年，推动国内存储器产业快速发展。
存储器推动半导体销售增长：2017年全球半导体销售额同比增长21.6%，达到4122亿美元，其中存储器市场增长61.5%，达到1240亿美元。存储器需求主要来自数据中心、移动、汽车、物联网等领域。
3D NAND技术成为主流：由于2D NAND技术面临物理极限，3D NAND技术逐步取代，预计2025年全球3D NAND市场占比将达98.2%。3D NAND相比2D NAND具有更高的存储密度、更低的功耗和成本。
ALD沉积工艺优势显著：ALD在高深宽比结构制造中具有更好的均匀性和台阶覆盖能力，适用于3D NAND制造，可有效降低应力，提高良率。相比传统PVD和CVD工艺，ALD具有更高的扩展性。
前驱体市场快速增长：随着存储器和逻辑芯片发展，前驱体市场规模将保持快速增长。2014年全球前驱体销售额约7.5亿美元，预计2019年将达到12亿美元，CAGR约10%。高k及金属前驱体市场增速更快，预计2019年达3.25亿美元。
国内前驱体市场空白：目前全球前驱体市场主要由韩国UP Chemical、法国液化空气、德国林德气体等企业主导，国内企业尚未具备量产能力。雅克科技通过收购UP Chemical，实现对国内前驱体市场的填补。

主要观点

存储器国产化战略：中国加大投入推动存储器发展，重点支持长江存储、合肥长鑫、福建晋华等项目，2019年有望实现量产，带动国内前驱体市场发展。
3D NAND优势明显：3D NAND在提升存储密度、降低功耗及成本方面表现突出，其技术发展将逐步替代2D NAND，成为主流存储技术。
ALD工艺成为首选：ALD在高深宽比结构制造中表现更优，具备更高的均匀性和台阶覆盖能力，能有效控制薄膜应力，适用于3D NAND制造。
前驱体市场前景广阔：随着存储器发展，前驱体市场需求快速增长，特别是高k及金属前驱体，市场潜力巨大。
UP Chemical成为关键企业：UP Chemical是全球领先的前驱体供应商，其产品广泛应用于高端存储芯片制造，雅克科技收购后将成为国内唯一具备前驱体生产能力的企业，受益于国产化进程。

关键信息

中国半导体市场依赖进口：2017年集成电路进口额达2601亿美元，贸易逆差达1932亿美元。
3D NAND市场增长预测：3D NAND市场将由2015年的7.1%提升至2025年的98.2%，市场规模达685亿美元。
ALD工艺优势：ALD在高深宽比结构中具有100%的台阶覆盖能力，相比CVD和PVD具有更好的均匀性和应力控制。
前驱体市场增长：2014年全球前驱体销售额约7.5亿美元，预计2019年将达到12亿美元，CAGR约10%。高k及金属前驱体市场增速更快，预计2019年达3.25亿美元。
UP Chemical业务布局：UP Chemical产品涵盖SOD、高k前驱体、氧化硅及氮化硅前驱体、金属及金属氮化物前驱体等，广泛应用于存储器、逻辑芯片及显示、太阳能等其他领域。
雅克科技投资布局：雅克科技通过收购UP Chemical，实现对国内前驱体市场的覆盖，成为国内唯一具备前驱体生产能力的企业，未来将受益于国产化进程。