半导体行业深度报告（二）-存储市场柳暗花明-国产替代未艾方兴-东海证券_50页_3mb

存储市场复苏预期与国产替代加速。存储芯片作为半导体产业第二大细分市场，市场规模达129767亿美元，受消费电子和服务器需求影响，当前处于行业周期底部横盘阶段，叠加AI、数据中心等需求增长，预计2023下半年将开启上行周期。DRAM市场三星、SK海力士和美光CR3市占超95%，短板被国内合肥长鑫等厂商突破；NAND市场三星等国际厂商CR5市占达95%，长江存储等国内厂商成长迅速。存储芯片技术呈现低功耗、高性能趋势，3D NAND层数突破200层，DDR5、GDDR6等前沿技术加速迭代。

DDR、LPDDR、GDDR等DRAM技术持续升级，19nm制程产品逐步量产。NAND Flash经历2D向3D架构转型，SLC、MLC、TLC、QLC技术迭代，规模应用以TLC为主。存储厂商普遍削减资本开支，三星、美光、SK海力士等龙头调整产能结构，产业链向Fabless模式深化。国内厂商在28nm/38nm制程实现突破，但整体产能与国际仍有差距。

行业周期底部渐明，2023年全球存储市场规模预计达84041亿美元，国内市场规模有望从2022年5938亿元增至6492亿元。AI服务器需求爆发，存储容量需求激增，DRAM供应链结构加速变化。汽车电子领域NAND、DRAM需求增长，东芯股份、兆易创新等受益于车规级产品认证。全球EEPROM市场受技术限制，国内聚辰股份、普冉股份等抢占笔记本电脑、智能手机等应用场景。

重点企业分析：兆易创新（NOR Flash三强）通过代工模式渗透DRAM，2022年营收813亿元，研发投入占比12%，19nm工艺512Mb DRAM实现量产；东芯股份专注中小容量存储，2022年营收1146亿元，24nm/NAND技术突破；北京君正占据车规DRAM15%市占率，依托8组海力士12nm工艺拓展FFM;江波龙实现了 DRAM/FDDRAM销售，依托2600nm工艺推进DDR5研发；普冉股份开发50nm工艺NOP及汽车EEPROM，2022年营收925亿元；聚辰股份开拓汽车EEPROM应用，12V摄像头EEPROM实现量产。

风险提示包括：市场竞争加剧、下游需求复苏不及预期、存储价格恢复不及预期等。建议关注兆易创新、东芯股份、北京君正、江波龙、普冉股份等具有技术壁垒的国产品牌。行业盈利能力修复空间较大，政策面推动本地化需求，存储国产替代进程加速。预计2024年全球存储市场将增强432%。