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存储板块深度分析总结

核心内容

随着AI技术的快速发展，特别是AI推理与代理型系统（AI Agent）的兴起，存储产业正迎来新一轮增长周期。存储作为AI模型的“记忆载体”，在AI推理、训练、数据存储等环节中发挥着关键作用，成为推动AI技术落地的重要支撑。

主要观点

1. 存储需求持续增长

• AI推理对高带宽、大容量存储需求显著提升，推动存储产业链整体景气度上升。
• 存储是Tokens的积分，随着AI推理场景扩展，存储需求将从EB级别增长至数百EB级别。
• 随着AI Agent对长期记忆和多轮交互的依赖，存储需求进一步向高容量、高吞吐方向发展。

2. 存储技术演进与产品迭代

• HBM4：美光、海力士、三星等存储原厂已开始量产HBM4，并推出更高容量的HBM4E，带宽达4.0TB/s。
• HBF：HBF作为介于HBM与SSD之间的存储方案，具备高带宽、大容量、低成本优势，适合读取密集型AI推理场景。
• eSSD：面向AI推理场景的高性能固态硬盘，支持大容量与高吞吐，预计2026年AI服务器用eSSD市场空间达120EB。
• CXL协议：实现存储池化，提升计算效率，支持低时延访问与分层内存管理，成为AI推理的关键技术。
• MRDIMM：提供更高的带宽和容量扩展，适合大模型推理场景，显著优化CPU-GPU内存编排与资源利用。

3. 存储产业链机会

• SSD与HDD：SSD在AI推理和RAG数据库中需求增长显著，HDD则在容量与可靠性方面继续发挥重要作用。
• SPD与VPD芯片：DDR5的普及推动SPD芯片升级，SSD性能提升带动VPD EEPROM需求增长。
• 存储代工模式：存储技术向双晶圆堆叠架构演进，逻辑晶圆有望采用代工模式，推动存储与逻辑芯片的协同优化。
• 接口芯片：MRDIMM、CXL互连芯片等新型接口技术将打开新的市场空间。

4. 存储供需格局

• NAND供需紧张：受AI需求推动，NAND Flash合约价预计2026年上涨 $105% - 110%$，供需紧张可能持续至2030年。
• DRAM供需紧张：2026年DRAM需求增速为 $26%$，但新增产能集中在2027年之后，短期供需失衡加剧。
• 存储价格上行：供需紧张推动存储产品价格提升，原厂毛利率有望显著改善。

5. 技术趋势与行业展望

• CXL与NVLink技术融合：推动AI计算与存储资源的高效协同，提升系统整体性能。
• HBM与SSD分层架构：KVCache等数据在不同层级存储中流动，形成高效的存储资源利用机制。
• 存储代工与IDM协同：逻辑晶圆代工模式有望实现存储与逻辑芯片的产业协同发展，提升整体性能与成本效益。

关键信息

• 技术方向：HBM4、HBF、eSSD、CXL、MRDIMM、SPD&VPD芯片、4F2+CBA DRAM技术等。
• 市场空间：预计2026年AI服务器用eSSD市场空间达120EB，NAND Flash全年产值增速约 $112%$。
• 供需预期：NAND Flash供需紧张预计持续至2030年，缺口可能超过 $20%$；DRAM新增产能释放节奏偏慢。
• 投资建议：建议关注存储产业链核心受益标的，包括存储原厂、SSD制造商、接口芯片供应商、存储代工企业等。

风险提示

• AI产业发展不及预期。
• AI服务器出货量不及预期。
• 国产厂商在技术和产品进展上存在不确定性。

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作者：王亮、耿正、焦鼎、张大伟