20190905-广发证券-有色金属行业专题研究：金属新材料系列之五：5G时代的GaAs衬底机会_21页_1mb

报告摘要

有色金属行业：5G时代的GaAs衬底机会分析

核心内容概述

本报告分析了5G技术发展对GaAs衬底材料的需求变化，指出随着5G高频、高速、高功率特性的发展，GaAs衬底在射频器件领域具有显著优势，有望在5G时代迎来更大市场空间。同时，报告指出目前全球GaAs衬底市场由海外少数厂商主导，国内厂商在技术与产能方面仍有较大替代空间。

主要观点

5G对射频器件的影响
5G网络的高频、高速、高功率特性要求射频组件具备更高的性能表现，这使得GaAs和GaN等第二代、第三代半导体材料逐步取代Si-LDMOS，成为5G基站与终端设备射频器件的核心材料。
GaAs衬底市场趋势
随着5G基站和终端设备数量增加以及大规模MIMO技术的普及，GaAs衬底需求将显著提升。预计2017-2023年全球射频前端PA市场容量将由50亿美元增加至70亿美元，年复合增长率（CAGR）约为7%。
GaAs长晶工艺
目前主流GaAs单晶生长工艺为VGF/VB法，其市场份额约占全球市场的63%。该工艺能够满足5G对高品质、低位错密度GaAs衬底的需求，且具有较高的材料利用率和生产效率。
市场格局分析
全球PA市场CR3为93%，由Skyworks、Qorvo和博通（Avago）主导；半绝缘GaAs单晶衬底市场CR3高达95%，由日本住友电气、德国费里伯格和美国AXT占据主导地位。国内厂商主要以生产低阻GaAs抛光片为主，尚未实现大尺寸、半绝缘GaAs衬底的规模化生产，国产替代空间广阔。
投资建议
建议关注具备GaAs衬底生产能力的国内企业，如云南锗业、有研新材等，这些企业在5G背景下有望受益于GaAs衬底需求的增长。

关键信息

1. 5G对射频器件的影响

5G频谱向高频段延伸，要求功率放大器（PA）具备更高的工作频率和功率表现。
5G基站和终端对PA的需求量将大幅增加，预计2018~2023年全球射频前端市场规模年复合增长率达16%。
GaAs和GaN材料因其较高的电子迁移率和禁带宽度，更适合5G高频、高功率需求。

2. GaAs长晶工艺

主流GaAs单晶生长工艺为VGF/VB法，占据全球市场约63%的份额。
HB法已不适用于制备高品质GaAs单晶，VCZ法因工艺复杂、成本高，也难以实现规模化生产。
GaAs单晶生长需满足高纯度、低位错密度和低热应力的要求，VGF/VB法能够实现这些目标。

3. 市场格局

全球PA市场CR3为93%，由Skyworks、Qorvo和博通（Avago）主导。
半绝缘GaAs衬底市场CR3高达95%，由住友电气、费里伯格和AXT占据。
国内GaAs单晶片年产量约为117万片（以4时计），主要用于LED芯片制造，半绝缘衬底尚未实现规模化生产。

4. 国内企业分析

云南锗业（002428.SZ）
公司具备80万片/年的GaAs单晶片产能，2018年非锗半导体产品营收为1065万元，占总营收2.3%。
有研新材（600206.SH）
公司主要从事微电子光电子材料和高端稀土材料的研发，2018年GaAs单晶营收占比较低，但具备一定的GaAs生产能力。
中科晶电
公司采用VGF法生产2-6英寸GaAs衬底，2018年GaAs单晶片产量约为54万片，占国内46%市场份额。
新乡神舟晶体
主要生产水平GaAs单晶材料，用于军事和民用领域。
北京通美
美国AXT集团全资子公司，产品以出口为主，2018年GaAs单晶片加工量为56万片（以4时计）。

风险提示

5G推广进程不及预期，可能影响GaAs衬底市场需求。
GaAs主流生产工艺发生重大变化，可能影响行业格局。
半导体材料技术进步可能导致GaAs被其他材料（如GaN）快速替代。

投资建议

关注具备GaAs衬底生产技术的国内企业，如云南锗业、有研新材等。
5G时代GaAs衬底需求将显著提升，国产替代空间广阔。
建议投资者在了解行业趋势和技术发展基础上，审慎评估投资风险。

估值与财务分析（部分公司）

股票简称	股票代码	货币	最新收盘价	最近报告日期	评级	合理价值（元/股）	EPS（元）	PE（x）	EV/EBITDA（x）	ROE（%）
中金岭南	000060.SZ	CNY	4.29	2019/9/1	买入	6.50	0.27	15.89	10.14	8.20
宝钛股份	600456.SH	CNY	27.15	2019/8/21	买入	31.00	0.65	41.77	20.14	7.30
天齐锂业	002466.SZ	CNY	23.80	2019/8/23	买入	28.00	0.44	54.09	19.28	4.40
东阳光	600673.SH	CNY	7.78	2019/8/21	买入	12.00	0.43	18.09	15.93	16.10
银泰资源	000975.SZ	CNY	16.90	2019/8/20	买入	17.10	0.57	29.65	15.18	11.90
威华股份	002240.SZ	CNY	7.84	2019/7/25	买入	8.44	0.34	23.06	15.42	7.70
金钼股份	601958.SH	CNY	7.05	2019/8/27	买入	8.80	0.22	32.05	15.33	5.10
华钰矿业	601020.SH	CNY	9.85	2019/8/28	买入	11.98	0.23	42.83	37.67	5.80
西部超导	688122.SH	CNY	49.97	2019/7/7	-	-	0.37	135.05	76.75	5.60

行业背景与趋势

GaAs衬底在5G射频器件中扮演重要角色，其物理性能优于Si-LDMOS，更适合高频、高功率应用场景。
5G时代将推动GaAs衬底市场空间扩大，但目前海外厂商仍占据主导地位，国内厂商需加快技术突破与产能提升。

总结

随着5G技术的推进，GaAs衬底在射频器件中的应用将显著增加，市场空间有望进一步扩大。尽管目前GaAs衬底市场由海外厂商主导，但国内厂商在技术积累和产能提升方面具备潜力，特别是在半绝缘GaAs衬底领域。建议投资者关注具备GaAs衬底生产能力的国内企业，如云南锗业、有研新材等，以把握5G带来的行业机遇。同时，需警惕5G推广不及预期、GaAs工艺变化及新材料替代等风险。

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