电子行业深度-碳化硅高速增长的前夕-功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动_25页_3mb

报告摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体核心材料，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率优等突出性能，正在全面渗透新能源、AI、通信和AR四大高增长产业。
下游需求驱动包括新能源汽车800V高压平台推广、AI数据中心能耗增长、AR眼镜光学显示升级、射频器件性能升级。
2030年全球碳化硅衬底（6吋当量）需求量预计达1676万片，主要应用场景包括新能源车（需求占比26%）、充电桩（15%）、光储一体化（17%）、AI散热材料（37%）、AR眼镜（12%）。

碳化硅材料特性与应用：
- 作为宽禁带半导体，SiC被广泛应用于新能源、AI、通信和AR领域，需求呈现爆发式增长。
- 主要应用场景包括：新能源汽车驱动逆变器、充电桩电源模块、光伏/储能变流器、AI数据中心电源器件、射频器件以及AR波导片等。
新能源领域需求：
- 新能源汽车：SiC助力800V高压平台节能降耗，预计2030年全球新能源车SiC衬底需求432万片（其中中国328万片）。
- 充电桩：政策推动下，2027年或将建成10万台高压直流充电桩，SiC需求达51万片（中国29万片）。
- 光/储一体化：SiC提升逆变器与变流器效率，预计2030年全球需求95万片。
AI与AR领域需求：
- AI数据中心：SiC器件用于UPS/HVDC/SS等电源系统，预计2030年全球需求73万片；同时作为散热材料（如中介层），需求达620万片。
- AR眼镜：SiC高折射率特性助力光学基底，预计2030年全球AR眼镜SiC需求389万片（中国137万片）。
射频领域需求：
- 5G-A和6G推动射频器件升级，SiC-on-SiC方案优势明显，预计2030年全球射频用SiC衬底需求17万片（中国占比60%）。
市场展望与风险：
- 2027年可能出现产能缺口，到2030年全球需求量可能较2025年增12倍。
- 风险因素包括中美贸易摩擦、下游需求不及预期、技术研发滞后和行业竞争加剧。