电子行业深度_碳化硅高速增长的前夕_功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动_25页_3mb

碳化硅（SiC）市场分析总结

1. SiC 材料特性与应用领域

• 核心特性: SiC 是第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低能量损耗等优势。
• 应用产业: 覆盖新能源（电动车、充电桩、光伏储能）、AI（数据中心、散热材料）、通信（5G-A/6G射频器件）、AR眼镜等领域。

2. 下游需求分析

新能源领域

• 新能源车:
  • 800V 高压平台推动 SiC MOSFET 应用，降低能耗并缩短充电时间。
  • 2030 年，全球新能源车 SiC 衬底需求 432 万片，中国市场 328 万片。
• 直流充电桩:
  • 政策推动下，2027 年中国计划建成 10 万台大功率充电桩，SiC 成为核心器件。
  • 2030 年，全球充电桩 SiC 衬底需求 51 万片，中国市场 29 万片。
• 光伏与储能:
  • SiC 提升逆变器和变流器效率，2030 年全球 SiC 衬底需求 94 万片，中国市场 30 万片。

AI 产业

• 电源系统 : SiC 用于 UPS/HVDC/SST 等设备，支持算力中心高功率密度需求，2030E 全球需求 72.8 万片。
• 散热材料 : SiC 作为 AI 芯片（如 GPU）中介层、基板、热沉等封装材料，2030E 市场潜力达 3000 万片，中国市场 173 万片。

AR 眼镜

• SiC 高折射率特性支持全彩光波导，扩大视场角并解决彩虹纹问题，2030 年中国市场需求 137 万片。

通信射频领域

• GaN-on-SiC 方案在 5G-A/6G 中占据优势，2030 年中国市场射频 SiC 衬底需求 10 万片。

3. 市场趋势与机会

• 需求驱动: AI 算力增长、电动车普及、AR 眼镜爆发、新能源政策支持，推动 SiC 衬底需求从 2025 年 134 万片增长至 2030 年 1676-2915 万片。
• 产能缺口: 目前中国产能约 400 万片，2027 年可能供需平衡或出现供应紧张，2030 年存在 1200 万片缺口。

4. 风险提示

• 技术风险: SiC 在先进封装散热材料应用尚未成熟（中介层、基板、热沉技术仍研发阶段）；
• 政策与供应链风险: 中美贸易摩擦可能限制供应链发展；
• 市场需求不确定性: 下游应用商业化进程可能不及预期。

分析师: 金凯笛