计算机行业算力系列报告（一）：AI服务器催化HBM需求爆发，核心工艺变化带来供给端增量_26页_1mb

AI服务器催化HBM需求爆发，核心工艺变化带来供给端增量

核心内容

HBM（高带宽存储器）作为AI服务器GPU显存的主流解决方案，正因AI服务器的快速普及而迎来需求爆发。HBM通过多层DRAMdie垂直堆叠、TSV（穿透硅通孔）和μbumps技术实现高带宽、低功耗和小体积，成为高性能服务器的关键部件。

主要观点

• HBM技术优势：相比传统GDDR5，HBM在带宽、容量和功耗方面具有显著优势，尤其适合AI服务器的高数据处理需求。
• 需求端增长：AI服务器出货量预计从2022年的86万台增长至2026年的200万台，年复合增速达29%。伴随服务器平均HBM容量提升，HBM市场规模将从2022年的约27亿美元增长至2025年的150亿美元，增速超过50%。
• 供给端变化：SK海力士、三星、美光三大厂商占据HBM市场主要份额，其中SK海力士市占率预计达53%（2023年）。随着HBM3E的量产，HBM产能将显著提升，尤其SK海力士计划2024年产能翻倍，美光和三星也加大投资力度。
• 核心工艺升级：HBM的封装工艺正向CoWoS和TSV技术演进，这两项技术将推动HBM性能和容量的进一步提升，并为配套供应链带来增量机会。

关键信息

HBM技术演进

AI服务器出货量与HBM需求增长预测

HBM供给格局

• SK海力士：2023年市占率53%，2024年计划产能翻倍，率先推出HBM3E。
• 三星：市占率38%，计划2024年HBM产线扩产至2023年的一倍以上。
• 美光：市占率9%，2024年计划资本支出75-80亿美元，主要用于HBM量产。

核心工艺变化

• CoWoS：通过硅中介层实现多层芯片封装，提升数据传输速度，已应用于A100、H200等芯片。
• TSV：在硅晶圆上打孔，实现多层DRAMdie的垂直互连，是HBM容量和带宽提升的关键技术。

关键公司分析

封测厂商

• 通富微电：国内首家完成基于TSV技术的3D DRAM封装开发，已量产多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装，受益于AMD MI300的放量。
• 长电科技：掌握2.5D/3D封装技术，XDF0I技术平台布局AI、5G、汽车等领域，提供Chiplet封测解决方案。
• 太极实业：子公司海太半导体与SK海力士深度绑定，受益于HBM出货量增长。
• 深科技：通过收购沛顿科技切入高端封测，具备DDR5、LPDDR5封测能力，研发FC倒装工艺和POPt堆叠技术。

设备厂商

• 赛腾股份：通过收购日本OPTIMA切入晶圆检测装备领域，产品覆盖固晶、分选、包装、检测等环节，受益于三星HBM产线扩产。
• 中微公司：国内刻蚀设备龙头，ICP刻蚀设备在DRAM、3D NAND等产线量产，具备TSV刻蚀工艺验证能力。
• 拓荆科技：深耕薄膜沉积设备领域，ALD设备在3D NAND中应用广泛，受益于存储芯片工艺升级。

材料厂商

• 雅克科技：为SK海力士前驱体核心供应商，受益于HBM出货量提升。
• 联瑞新材：国内硅微粉龙头，产品覆盖高端芯片封装、新能源电池等领域。
• 壹石通：具备Low-α高纯石英和氧化铝制备技术，产品已通过客户验证，有望受益于HBM材料需求。
• 华海诚科：国内环氧塑封材料龙头，产品可应用于HBM封装，处于送样阶段。

风险提示

• 下游服务器需求不及预期
• 行业竞争加剧
• 技术发展不及预期

行业评级

• 看好：预计未来6个月内行业整体回报高于沪深300指数5%以上。
• 中性：预计未来6个月内行业整体回报介于沪深300指数-5%与5%之间。
• 看淡：预计未来6个月内行业整体回报低于沪深300指数5%以下。

公司评级

• 买入：预计未来6个月内个股相对沪深300指数涨幅15%以上。
• 增持：预计未来6个月内个股相对沪深300指数涨幅介于5%与15%之间。
• 持有：预计未来6个月内个股相对沪深300指数涨幅介于-5%与5%之间。
• 减持：预计未来6个月内个股相对沪深300指数涨幅介于-5%与-15%之间。