20240321-国金证券-产品大幅涨价_业绩全面超预期_4页_771kb

业绩简评
公司FY24Q2（23Q4~24Q2）业绩全面超预期，营收5824亿美元，同比增长58%，环比增长23%。GAAP毛利率185%，Non-GAAP毛利率200%，非GAAP净利润扭亏为盈（476亿美元），均创历史新高。

经营分析
核心驱动因素

• 存储景气周期：存储商品涨价带动毛利率显著改善。Q2 GAAP毛利率185%，刷新高点；NAND与DRAM ASP均环比大幅提升（NAND ASP增长超30%）。
• 产品结构优化：HBM业务实现收入确认，客户为英伟达H200产品，并计划25年持续放量，市占率有望达到DRAM水平。

产品线表现

• DRAM：营收42亿美元，ASP环比提升15~20%，位元出货量低位数增长。
• NAND：营收16亿美元，ASP增长超30%，出货量环比小幅提升。

终端需求预测

• 预计2024年PC市场低个位数增长（AI手机推动DRAM容量提升50%~100%），手机市场平稳增长。
• NAND与DRAM供需格局持续偏紧，公司维持FY24资本开支75~80亿美元。

盈利预测与估值

• 收入预测：24~26年营收预计分别为22515亿、28931亿、31453亿美元，yoy增长率分别为44.9%、28.5%、8.7%。
• 利润预测：23Q1GAAP净利润46.7亿，Non-GAAP净利润57.46亿；到26年利润超69亿。
• 估值：当前市盈率（TTM）T+1上涨31.8%，市净率T+1上涨8.5%。投资建议为“买入”，预期未来6~12月上涨15%以上。

风险提示

• 需求风险：终端市场增速不及预期；AI市场渗透不及预期。
• 供给风险：原厂产能释放不及预期。
• 竞争风险：行业竞争加剧、存货减值、技术迭代风险。
• 政策与合规：产品禁售等政策风险。

公司基本情况（单位：亿美元）

热点事件与未来展望

• HBM放量：12层HBM3E产品已发布，预计25年驱动公司收入跃升。
• 资本开支：FY24投入约80亿，延续高景气布局，但资本回报率保持高位。

市场评级

• 投资建议：买入（1/9打分，市场建议中居中）
• 目标价：由P/E推算，未来一年最高市值预估约418亿美元。