2025-08-04-上交所科创板-芯联集成电路制造股份有限公司2025年半年度报告页_197页_2mb

芯联集成电路制造股份有限公司2025年半年度报告总结

核心内容概览

芯联集成电路制造股份有限公司（简称“芯联集成”）在2025年上半年持续推进其在半导体制造领域的布局，实现了主营业务收入的显著增长，并在多个关键领域取得了技术突破与市场拓展成果。尽管公司仍处于未盈利阶段，但盈利能力呈现改善趋势。

主要观点与关键信息

公司基本信息

• 公司中文名称：芯联集成电路制造股份有限公司
• 公司简称：芯联集成
• 外文名称：United Nova Technology Co., Ltd.
• 外文简称：UNT
• 法定代表人：赵奇
• 注册地址：浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
• 办公地址：与注册地址一致
• 公司网址：www.unt-c.com
• 信息披露联系人：张毅（董事会秘书）、商娴婷（证券事务代表）
• 联系电话：0575-88421800
• 传真：0575-88420899
• 电子邮箱：IR@unt-c.com

财务表现

• 营业收入：34.95亿元，同比增长21.38%
• 利润总额：-9.37亿元，同比减亏16.88%
• 归属于上市公司股东的净利润：-1.70亿元，同比减亏63.82%
• 扣除非经常性损益的净利润：-5.36亿元，同比减亏31.11%
• 息税折旧摊销前利润（EBITDA）：11.01亿元，同比下降1.94%
• 经营活动产生的现金流量净额：9.81亿元，同比增长77.10%
• 归属于上市公司股东的净资产：124.25亿元，同比增长0.84%
• 总资产：331.87亿元，同比下降2.97%

财务指标变化原因

• 净利润：公司通过拓展市场、优化供应链、提升生产效率等方式，有效提升了盈利能力。
• 经营活动产生的现金流量净额：销售规模扩大，客户回款增加。

非经常性损益

• 非经常性损益合计：3.65亿元
• 政府补助：3.05亿元
• 公允价值变动损益：0.75亿元
• 其他营业外收入和支出：0.06亿元
• 少数股东权益影响额（税后）：1.36亿元

扣除股份支付影响后的净利润

• 本报告期：-1.17亿元
• 上年同期：-4.55亿元
• 减亏幅度：74.39%

主要财务指标说明

• 毛利率：3.54%，同比增加7.79个百分点
• 净利率：-26.80%，同比增加12.34个百分点
• 息税折旧摊销前利润率：31.51%，同比减少7.50个百分点
• 基本每股收益：-0.02元，同比增加12.34个百分点
• 加权平均净资产收益率：-1.38%，同比增加2.45个百分点

报告期内主要经营情况

• 营业收入增长：24.93%
• 毛利率提升：3.54%
• 首次实现单季度归母净利润转正：二季度归母净利润为0.12亿元
• 模组封装业务增长：同比增长超100%，其中车规功率模块增长超200%

行业发展趋势与公司定位

行业趋势

• 新能源汽车：市场增长迅速，智能化趋势明显，对功率器件和模拟IC需求增加
• 消费电子：AI赋能开启创新周期，带动MEMS传感器、功率器件及模拟IC需求增长
• 风光储行业：政策推动下行业持续回暖，市场需求增加
• AI基建：数据中心建设加速，带动高功率、高效率和高稳定性的电源管理芯片需求

公司行业地位

• 晶圆代工：国内领先的车规级IGBT和SiC MOSFET生产基地，SiC MOSFET出货量亚洲前列
• 模组封装：功率模块出货量中国市场前列，SiC MOSFET芯片及模组全面覆盖650V-3300V平台
• BCD工艺：国内布局最完整，技术达到国际领先水平，多个新平台已实现规模量产
• MEMS技术：国内规模最大、技术最先进的MEMS晶圆代工厂，已进入全球晶圆代工“第一梯队”

主要产品及技术布局

主要产品

• 功率控制芯片及模组：包括IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN等
• 模拟IC：高压BCD平台、BCD SOI工艺、数模混合技术平台等
• MEMS传感器：硅麦克风、惯性传感器、压力传感器、微振镜等
• 功率模块：IPM、PIM、工业变频模块等

技术进展

• BCD工艺：完成55纳米、90纳米、180纳米等多个节点工艺开发，达到国际领先水平
• SiC技术：8英寸SiC产线实现批量量产，SiC MOSFET产品覆盖650V-3300V
• GaN技术：完成工艺平台搭建，产品覆盖高中低压
• MCU平台：完成180纳米、55纳米嵌入式闪存工艺平台开发
• MEMS麦克风：新一代高性能平台完成搭建，产品送样完成

研发投入与成果

• 研发投入总额：9.64亿元，占营业收入27.59%
• 研发人员数量：1,107人，占公司总人数22.27%
• 研发人员平均薪酬：26.90万元
• 研发成果：
  • BCD工艺：多个平台实现量产，应用于汽车BMS AFE、工业系统集成芯片等
  • SiC MOSFET：8英寸产线量产，产品性能达到国际水平
  • MEMS麦克风：新一代平台完成，填补国内空白
  • 惯性传感器：第二代平台完成，产品送样验证中
  • 光学传感器：MEMS mirror平台开发中，应用于AI数据中心传输芯片
  • IPM（智能功率模块）：完成全系列多规格产品开发，部分产品进入量产

风险提示

未盈利风险

• 公司处于规模扩张初期，尚未实现盈利，需持续优化产品结构、提升产品竞争力。

业绩波动风险

• 若市场需求下降或客户开发不及预期，可能影响公司收入增长。

核心竞争力风险

• 技术迭代风险：需持续投入研发，以应对快速变化的市场需求和技术趋势。
• 人才流失风险：公司规模扩张，对人才管理能力提出更高要求。

经营风险

• 行业周期性：宏观经济波动可能影响半导体市场需求。
• 原材料市场集中：部分原材料供应商集中，存在供应延迟或价格上涨风险。

知识产权风险

• 存在技术被盗用或知识产权纠纷的潜在风险。

财务风险

• 信用风险：若客户或供应商经营状况恶化，可能影响回款或采购交付。
• 汇率波动风险：公司存在以外币计价的业务，汇率波动可能影响现金流。

行业与宏观环境风险

• 国内半导体行业生态仍需完善，若政策限制可能影响公司发展。

公司战略与展望

芯联集成致力于成为世界领先的一站式芯片系统代工企业，持续优化供应链管理，提升生产效率，推动产品结构升级。公司通过技术自主开发与并购整合，进一步巩固在SiC MOSFET等关键领域的竞争优势，并积极拓展AI、新能源汽车、消费电子等新兴市场。未来，公司将继续加大研发投入，提升技术实力，拓展市场份额，增强市场竞争力。