2024-03-25-上交所-芯联集成电路制造股份有限公司2023年年度报告_259页_3mb

芯联集成2023年年度报告总结

核心内容概述

芯联集成电路制造股份有限公司（简称“芯联集成”，股票代码：688469）2023年年度报告披露了公司在新能源汽车、工业控制、高端消费等领域的业务发展情况，以及公司在研发投入、产能扩张、财务表现等方面的重要进展。尽管公司尚未实现盈利，但EBITDA（息税折旧摊销前利润）同比增长14.29%，经营性现金流大幅增长，显示出良好的发展势头。

主要观点

• 财务表现：公司2023年营业收入达53.24亿元，同比增长15.59%；EBITDA为9.25亿元，同比增长14.29%；经营性现金流净额为26.14亿元，同比增长95.93%。但归属于上市公司股东的净利润仍为负值，主要由于高研发投入、固定资产折旧及产能爬坡等因素。

• 研发投入：2023年研发投入达15.29亿元，占营业收入的28.72%，显著高于行业平均水平，主要集中在8英寸功率器件、SiC MOSFET、12英寸硅基晶圆、BCD工艺及MEMS等核心技术领域。

• 产能建设：公司同步推进8英寸硅基晶圆、SiC产线、12英寸硅基晶圆及模组封装产线建设，产能爬坡进展顺利，为后续业绩增长奠定基础。

• 产品结构优化：公司产品覆盖车载、工控、消费类等多个领域，其中高附加值产品占比提升，推动收入增长。2023年公司主营收入达49.11亿元，同比增长24.06%。

• 行业地位：公司在国内功率半导体、MEMS制造等领域处于领先地位，拥有全球竞争力的产品和技术，已进入多个国际领先客户供应链。

• 市场拓展：公司与上汽集团、小鹏汽车、宁德时代等知名客户建立合作关系，推动产品在新能源汽车、风光储等领域的应用。

• 技术突破：公司多项核心技术达到国际领先水平，包括功率IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、BCD工艺、MEMS传感器等，并获得多项专利和研发成果。

• 风险提示：公司仍处于行业周期中的亏损阶段，主要受高研发投入和固定资产折旧影响，未来需依赖产能释放和规模效应改善盈利能力。

关键信息

财务指标

产品与技术进展

• 功率半导体：IGBT、MOSFET、SiC MOSFET等产品实现规模量产，其中SiC MOSFET月出货量超过5000片。
• BCD工艺：覆盖0.35um至0.18um技术节点，提供高电压、大电流、高可靠性解决方案。
• MEMS技术：包括麦克风、惯性导航、压力传感器、微振镜等，已进入规模化生产阶段。
• 模组封装：完成车规级IGBT和SiC模块的封装产线建设，实现高良率和自动化生产。

产能情况

• 8英寸硅基晶圆产线：合计月产17万片，其中IGBT 8万片、MOSFET 7万片、MEMS 1.5万片。
• 12英寸硅基晶圆产线：中试线已建成，设计产能1万片/月（等效8英寸产能2.25万片/月）。
• SiC MOSFET产线：6英寸产线已实现月产出5000片以上，2024年将启动8英寸实验线建设。

市场表现

• 车载应用：占营收46.97%，同比增长128.42%，公司产品覆盖新能源汽车终端客户。
• 工控应用：占营收29.46%，同比增长26.63%，覆盖风光储等细分市场。
• 高端消费应用：占营收23.56%，因消费市场景气度影响，同比略有下降。

研发成果

• 知识产权：2023年新增知识产权申请295项，获得专利102项，其中发明专利35项，实用新型专利63项。
• 技术平台：公司构建了覆盖车规、工控、消费类的多个平台，包括功率控制、驱动、信号链等。
• 产品突破：推出多个新产品，如SiC MOSFET、VCSEL、IPM等，获得国内外客户认可。

公司治理

• 公司董事会、监事会及高管保证报告真实性、准确性、完整性。
• 天职国际会计师事务所出具标准无保留意见的审计报告。
• 报告期内未发生重大风险事件，如非经营性资金占用、违规担保等。

总结

芯联集成在2023年继续加大研发投入，推进产能扩张，提升产品结构和附加值，取得多项技术突破和市场成果。虽然公司仍处于亏损状态，但EBITDA和经营性现金流显著增长，显示出公司在新能源汽车、风光储等高增长赛道中的强大竞争力和良好前景。随着新建产能的快速释放和市场渗透率的持续提升，公司有望在未来几年内实现盈利并进一步巩固行业领先地位。