半导体行业AIGC系列之17暨存储系列1：存储周期见底，AI催化HBM需求-20230418-申万宏源-20页_1mb

存储周期见底，AI催化HBM需求总结

核心内容

• 存储芯片周期进入下行后半程，2023Q2价格探底，2023Q3有望迎来复苏。
• AI与HPC需求推动HBM市场快速增长，预计2025年市场规模将达25亿美元。
• 存储产业链国产化替代加速，多环节存在投资机会。

主要观点

1. 存储芯片周期复苏预期

• 存储芯片市场具有强周期性，价格波动显著。
• 本轮周期下调始于2022Q2，2022Q4跌至2019Q1、Q2周期底部水平。
• 2023Q1跌势收窄，存储原厂售价已跌穿成本价。
• 2023Q2供需博弈加剧，价格有望提前止跌，2023年内出现拐点。

2. HBM成为存储芯片增长引擎

• HBM作为高性能存储产品，带宽较DDR5高出10倍以上，具备超宽带、低功耗优势。
• HBM主要用于AI加速器和高效能服务器，NVIDIA H100 NVL GPU配置188GB HBM3e内存。
• 2023-2025年HBM市场CAGR预计达40-45%，增长潜力巨大。
• SK海力士在HBM技术上领先，市场份额约60-70%；三星紧追其后，已量产HBM3。

3. 存储产业链投资机会

• 存储芯片公司：兆易创新（Nor Flash及MCU领军，与合肥长鑫合作DRAM）、聚辰股份（DDR内存模组SPD，汽车级EEPROM芯片）、北京君正（车规存储龙头）、东芯股份（中小容量存储芯片）。
• 存储模组厂商：佰维存储、江波龙。
• 封装基板：兴森科技、深南电路。
• 封测企业：深科技、通富微电、长电科技。
• 内存接口芯片：澜起科技。

关键信息

• 市场趋势：存储芯片需求从Mobile向AI/HPC转移，服务器市场成为主要驱动力。
• 技术演进：DRAM迈入1β节点，技术升级速度放缓；NAND量产进入200L+时代，未来将迈向1000L。
• 行业格局：
  • NAND市场：三星、美光、SK海力士、长江存储等企业加速产能扩张。
  • DRAM市场：三星、SK海力士、美光等大厂持续推动技术迭代。
• 风险提示：
  • Server需求复苏不及预期；
  • 大厂减产不及预期；
  • 国产公司技术进展落后。

数据支持

• 2022年NAND Flash市场综合价格指数下跌41%，DRAM下跌35%。
• 2023Q1美光营收36.93亿美元，毛利率跌至-32.7%。
• 2023年NAND供给成长率为10.6%，供过于求比例预计下降至5.6%。
• HBM3带宽较DDR5高出10倍以上，2023年HBM市场有望快速增至25亿美元。

投资评级说明

• A股：投资评级分为买入、增持、中性、减持，以沪深300指数为基准。
• 港股：投资评级分为买入、增持、持有、减持、卖出，以恒生中国企业指数为基准。

法律声明

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