第三代半导体行业系列报告之一：第三代半导体大势所趋，国内厂商全产业链布局-20200908-光大证券-25页_3mb

报告摘要

第三代半导体材料（如碳化硅SiC和氮化镓GaN）因其高禁带宽度、高击穿电压、高热导率和高电导率，成为新能源汽车、5G通信、工业控制等高功率、高温、高频应用领域的理想选择。相较于第一代（硅基）和第二代（砷化镓）半导体，第三代半导体在性能和效率方面有显著优势，因此被视为未来半导体行业的发展趋势。

第三代半导体材料性能优越：具有更高的禁带宽度、击穿电压、热导率和电导率，适用于高压、高功率、高频场景，可有效提升系统效率并减少体积和能耗。
碳化硅更适合作为衬底材料：碳化硅热导率是氮化镓的约3倍，且其大尺寸单晶生长相对容易，因此在第三代半导体产业链中更常被用作衬底材料，广泛应用于功率器件和射频器件。
新能源汽车是碳化硅的重要应用领域：碳化硅器件在新能源汽车主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机等关键部件中应用广泛，有助于提升续航里程并降低能耗。
国内厂商布局全产业链：国内企业在第三代半导体的设备、衬底、外延和器件等环节均有布局，具备较强的自主可控能力。
国际大厂加速布局：如英飞凌、意法半导体等国际大厂通过并购或合作方式加强碳化硅产业链的布局，推动技术发展和市场拓展。

项目	Si	GaAs	4H-SiC	GaN
禁带宽度(eV)	1.12	1.43	3.2	3.4
饱和电子漂移速率（cm/s）	1.0×10⁷	1.0×10⁷	2.0×10⁷	2.5×10⁷
热导率（W·cm⁻¹·K⁻¹）	1.5	0.54	4	1.3
击穿电场强度（MV/cm）	0.3	0.4	3.5	3.3