2025-06-18-深企投-2025第三代半导体产业链研究报告_74页_3mb
报告摘要
第三代半导体 SiC/GaN 产业链研究报告总结
核心内容概览
第三代半导体(SiC/GaN)作为新一代半导体材料,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度及更强的抗辐射能力,适合制作高温、高频、大功率器件。当前,第三代半导体在新能源汽车、光伏、工业控制、通信等领域广泛应用,是功率半导体性能升级的主要选择。
主要观点与关键信息
1. 行业发展趋势
- 第三代半导体加速渗透:随着摩尔定律放缓和第三代半导体产品成本下降,其在部分硅基半导体市场中的应用比例将逐渐提升。
- 异质集成成为趋势:将氮化镓与硅衬底结合,或碳化硅与硅基IGBT结合,能够兼顾性能与成本,推动技术融合。
- 国产替代进程加快:在新能源汽车等领域,国产碳化硅器件企业市场份额迅速提升,部分企业已进入车规级供应链。
2. 碳化硅(SiC)产业链
产品概况与应用
- 碳化硅功率器件包括MOSFET、SBD、IGBT、JFET等,其中SiC MOSFET和SBD为主要产品。
- 碳化硅器件在新能源汽车中应用广泛,主驱逆变器、OBC、DC-DC等关键部件中碳化硅渗透率快速提升。
- 在光伏、储能、AI数据中心等领域也有广泛应用。
市场规模与增长预测
- 全球碳化硅功率器件市场规模由2023年的27.46亿美元增长至2029年的98.73亿美元,年复合增速24%。
- 全球碳化硅衬底市场规模预计从2024年的8.24亿美元增长至2031年的24.14亿美元,年复合增速14.38%。
- 碳化硅外延片市场规模由2020年的4亿美元增至2024年的12亿美元,预计2029年达到58亿美元。
竞争格局
- 国际巨头主导市场:意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed等占据全球主要市场份额。
- 中国企业崛起:天科合达、天岳先进等国内企业已进入全球前五,其中天科合达为导电型衬底龙头,天岳先进为半绝缘型衬底龙头。
- 8英寸衬底成为趋势:国际企业正加速8英寸衬底量产,国内企业也加快布局,未来8英寸将占据更大市场份额。
- 12英寸衬底技术突破:部分企业已成功研发12英寸衬底样品,预计未来几年将逐步实现量产。
国内主要企业情况
| 序号 | 企业 | 产能 | 基地 | 经营规模 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 2024年产能约30万片、8寸小规模量产 | 北京、徐州、深圳(合资) | 2023年营收超15亿元,2024年全球市占率17.3% |
| 2 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 2024年产能约46万片/年、8寸为主 | 上海临港、济南、济宁 | 2024年营收17.68亿元,全球市占率17.1% |
| 3 | 三安光电股份有限公司 | 6寸产能19.2万片/年,8寸在建 | 长沙、重庆 | 2024年营收145亿元,碳化硅业务营收11.4亿元 |
| 4 | 浙江晶越半导体 | 2024年6寸产能6万片/年,8寸小批量生产 | 绍兴嵊州 | 市场份额约占国内8% |
| 5 | 山西烁科晶体有限公司 | 一期产能7.5万片/年,二期新增20万片/年 | 太原 | 2023年产值突破10亿元,2025年目标营收突破20亿元 |
| 6 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 2024年底6寸产能2万片/月、8寸3000片/月 | 银川、绍兴 | 2024年营收176.77亿元,材料业务营收33.46亿元 |
| 7 | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 | 6寸产能20万片/年,8寸规划50万片/年 | 广州、中山、济南 | 已完成C+轮融资 |
| 8 | 深圳市国碳半导体科技有限公司 | 在建产能24万片/年 | 深圳、广州南沙 | 与南砂晶圆合资 |
3. 氮化镓(GaN)产业链
产品概况与应用
- 氮化镓器件包括增强型(E-mode)和耗尽型(D-mode),前者适用于消费电子和低压高频场景,后者适用于射频和大功率场景。
- 氮化镓广泛应用于5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心、光伏/储能等领域。
市场规模与增长预测
- 全球氮化镓器件市场规模预计在2029年达到百亿级,年复合增速40%以上。
- 氮化镓衬底市场在2024年达到8.24亿美元,预计2031年增长至24.14亿美元。
竞争格局
- 硅基氮化镓为主流技术:硅基氮化镓在成本、工艺成熟度方面具备优势,是当前主要应用方向。
- 国际厂商仍占主导地位:Wolfspeed、Coherent、罗姆、SK Siltron等在氮化镓市场占据重要地位。
- 国内厂商加速布局:瀚天天成、三安光电、比亚迪半导体等企业已具备一定产能,部分企业正在推进8英寸氮化镓外延片量产。
国内主要企业情况
| 序号 | 企业 | 产能 | 基地 | 经营规模 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 瀚天天成电子科技(厦门) | 6寸为主、8寸已突破 | 厦门 | 2024年外销量17万片 |
| 2 | 广东天域半导体股份有限公司 | 6寸为主、8寸研发中 | 东莞 | 2024年外销量8.3万片 |
| 3 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | 6寸年产能6万片 | 石家庄 | 2024年外销量9.6万片 |
| 4 | 中电化合物半导体有限公司 | 6寸为主 | 宁波 | 2023年销售5万片,2025年规划8万片/年 |
| 5 | 三安光电股份有限公司 | 8寸衬底与外延片产能1.2万片/年 | 长沙、重庆 | 2024年营收145亿元,碳化硅业务营收11.4亿元 |
| 6 | 深圳市重投天科半导体有限公司 | 外延片产能25万片/年 | 深圳宝安 | 与天科合达合资 |
产业链核心环节分析
衬底制造
- 衬底是碳化硅产业链技术门槛最高、价值量最大的环节,占碳化硅器件成本的47%。
- 国内衬底企业已实现6英寸量产,并加快8英寸布局,未来有望进一步实现12英寸量产,以降低单位成本。
- 衬底分为半绝缘型和导电型,分别用于射频器件和功率器件,其中导电型衬底用于新能源汽车、光伏等领域。
外延片制造
- 外延片是碳化硅器件制造的关键环节,占成本23%,主要采用CVD和MBE两种工艺。
- 6英寸外延片为主流,8英寸商业化进程加快,预计2029年将占64%市场份额。
- 外延片价格持续下降,2020年单价为1.14万元/片,预计2029年降至4400元/片。
器件制造
- 器件制造环节占30%成本,采用IDM模式为主,包括设计、制造、封测一体化。
- 国内企业如比亚迪半导体、士兰微、芯联集成等已实现车规级器件量产,并加速向8英寸衬底发展。
- 部分企业如清纯半导体、纳微达斯等已进入车规级供应链,产品应用于新能源车、光伏等领域。
总结
第三代半导体(SiC/GaN)在性能和应用场景上具有显著优势,正在逐步替代传统硅基半导体。碳化硅在新能源汽车、光伏、工业控制等领域的应用迅速增长,氮化镓则在5G通信、消费电子、数据中心等高频、高功率场景中占据重要地位。随着技术成熟、成本下降和产能提升,第三代半导体市场将保持高速增长,预计到2029年,碳化硅功率器件市场规模将突破100亿美元,氮化镓器件市场规模也将进入百亿级。中国企业在碳化硅和氮化镓领域已形成较强的竞争力,部分企业已进入全球供应链,未来有望在全球市场中占据更大份额。
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