20210731-国盛证券-电子行业深度_半导体材料系列_光刻胶–光刻环节核心_厚积薄发_国产替代_21页_1mb

报告摘要

光刻胶是半导体制造中不可或缺的关键材料，其性能直接影响集成电路的集成度，进而影响芯片的运行速度和功耗。随着全球及中国晶圆厂的扩产和产品制程结构的优化，光刻胶市场呈现价量齐升的趋势。中国光刻胶市场在2015年至2020年间，市场规模从1.3亿美元增长至3.5亿美元，复合增长率约为40%。

光刻胶的重要性
- 光刻胶在光刻工艺中起着至关重要的作用，通过光化学反应将图形转移到基片上。
- 光刻胶的性能决定了芯片的集成度，进而影响其性能指标。
市场增长驱动因素
- 产能扩张：中国晶圆厂8寸和12寸产能分别将从74万片/月和38.9万片/月增长至135万片/月和145.4万片/月，分别增长82%和274%。
- 制程升级：5nm制程从0%提升至14%，而28nm及以上制程从45%降至37%，显示制程持续向更先进方向发展，带动光刻胶价值量提升。
光刻胶分类与应用
- 按应用领域分为IC光刻胶、PCB光刻胶、面板光刻胶。
- 按曝光波长分为g线、i线、KrF、ArF、EUV等。
- 按反应机理分为正性光刻胶和负性光刻胶。
市场格局与国产替代
- 全球光刻胶市场由日本、美国等主导，中国半导体光刻胶市场占比仅2%。
- 国内厂商如彤程新材、上海新阳、晶瑞股份、南大光电等正逐步实现技术突破，加速国产替代进程。
行业趋势与机遇
- 随着晶圆厂产能扩张及制程升级，中国光刻胶市场将获得更大的发展机会。
- 未来中国光刻胶市场规模有望达到100亿元人民币，全球市场规模有望突破50亿美元。

市场规模：
- 全球光刻胶市场规模从2015年的13亿美元增长至2020年的21亿美元，复合增长率约20%。
- 中国光刻胶市场规模从2015年的1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元，复合增长率约40%。
光刻胶技术发展：
- 光刻技术经历了多个阶段，包括紫外全谱、G线、I线、KrF、ArF、EUV等。
- 不同光刻胶适用于不同制程，如ArF适用于65-130nm制程，EUV适用于32nm及以下制程。
光刻胶产品结构：
- 全球光刻胶市场中，KrF、ArF、i线、g线等主要产品由日本、美国等主导。
- 中国光刻胶产品结构仍以低端为主，但已逐步实现部分高端产品突破。
国产替代进展：
- 中国内资厂商在光刻胶领域经过十多年发展，已实现部分产品替代。
- 随着新产线的不断上线，国产替代进程将加快，实现从Baseline追逐者向制定者的转变。