20160811-华泰证券-电子元器件行业深度研究_3D_NAND_FLASH浪潮袭来_29页_2mb
报告摘要
电子元器件行业研究:3D NAND FLASH浪潮袭来
核心内容
3D NAND FLASH技术正在引领存储芯片行业的重大变革,预计将成为NAND Flash的主流。其优势在于高容量、高性能、低功耗,能够满足智能机和SSD对更大容量的需求。随着技术发展和市场扩展,3D NAND FLASH将逐步替代2D NAND,特别是在256GB及更高容量市场。
主要观点
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行业周期性减弱,成长性增强
存储芯片行业由于下游应用拓宽、产业集中度提高、扩产难度增加等因素,未来将保持稳定获利状态。 -
三星仍为行业领导者,但面临挑战
三星在3D NAND FLASH量产和技术研发方面处于领先地位,但东芝、美光、海力士等厂商正在加速追赶,预计未来3D NAND FLASH产能将大幅增长。 -
国内存储芯片产业有望实现自产自销
中国目前依赖进口存储芯片,占全球市场份额的55%。随着国家集成电路产业基金的推动和紫光国芯、武汉新芯等企业的发展,国内存储芯片产业将迎来快速增长。 -
3D NAND FLASH需求激增,市场空间广阔
2017年全球3D NAND FLASH需求预计达到2.81亿颗,而中国的需求约为8000万个,市场潜力巨大。 -
技术与资金壁垒显著,关注产业链相关企业
3D NAND FLASH的制造涉及复杂的技术和高额的资金投入,因此行业竞争集中在已有企业之间。同时,材料和封测环节相关企业将受益,如选择性蚀刻、薄膜沉积、TSV封装等。
关键信息
- 3D NAND FLASH的优势:小体积、大容量、高性能、低功耗,适应智能机和SSD的发展需求。
- 全球3D NAND FLASH市场增长:2015年市场规模为36亿美元,预计2016年将增加至56亿美元以上。
- 2017年供需预测:预计3D NAND FLASH供给约2.5亿颗,需求约2.81亿颗,供需平衡,不存在产能过剩。
- 技术发展:目前主流厂商采用48层堆叠技术,未来可能向64层甚至更高发展。
- 国内发展:武汉新芯和紫光国芯分别获得240亿和800亿的投资,推动中国存储芯片自产自销。
- TSV技术:成为实现3D结构的关键,有助于提高封装密度和性能。
- 材料需求:选择性蚀刻和薄膜沉积产品将受益于3D NAND FLASH的发展。
推荐标的
- 紫光国芯:800亿定增项目,收购力成25%股权,切入封测领域。
- 武汉新芯:240亿美元国家存储器项目核心企业,预计2018年量产3D NAND FLASH。
- 长电科技:国内封测龙头,受益于3D NAND FLASH的封装需求。
- 华天科技:与武汉新芯战略合作,昆山西钛深耕TSV技术。
- 七星电子:主营刻蚀机,与北方微电子合作。
- 上海新阳:TSV先进封装镀铜液供应商,是3D NAND FLASH产业链上游关键企业。
- 深科技:收购沛顿科技,切入存储芯片封装测试业务。
风险提示
- 3D NAND FLASH量产速度不及预期
- 智能移动终端需求不及预期
- 3D SSD渗透率不及预期
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