20160828-东兴证券-电子元器件行业周报_3D_NAND技术加速存储国产化进程_15页_1mb
报告摘要
3D NAND 技术加速存储国产化进程
核心内容概述
本报告聚焦于电子元器件行业,重点分析了3D NAND存储技术的发展及其对存储芯片国产化的推动作用。同时,报告也涉及了AR/VR、手机创新零部件、可穿戴设备等领域的技术进展和投资机会。
主要观点
- 3D NAND技术突破:英特尔发布6款3D NAND SSD产品,容量从128Gb到1Tb不等,3D NAND技术显著提升了存储密度,三星32层堆栈的3D NAND容量密度达到 $1.87\mathrm{Gb/mm}^2$,远超东芝的 $1.28\mathrm{Gb/mm}^2$,标志着3D NAND技术全面替代2D NAND的开始。
- 国产化进程加速:国内存储芯片厂商通过与外资企业合作,技术差距已缩小至1-2代,叠加国家政策支持与下游应用转移,存储芯片国产化前景广阔。长江存储项目投资240亿美金,预计2018年量产,2020年实现月产能30万片。
- AR/VR技术发展:微软发布Hololens技术细节,包括3D景深摄像头、HPU芯片等,推动AR硬件生态建设。同时,苹果获得AR导航相关专利,显示其在该领域布局。
- Type-C接口成为趋势:Type-C接口具备高速传输、高功率充电、支持正反插等优势,预计将逐步取代传统Micro USB接口。该技术将带动相关零组件企业的发展。
- 行业投资策略:建议关注存储芯片国产化、手机创新零部件等价值板块。重点推荐公司包括紫光国芯、华天科技、深科技、太极实业、立讯精密、长盈精密、欣旺达、德赛电池等。
- 市场表现:本周申万电子指数下跌 $0.67%$,创业板指下跌 $0.14%$,电子行业跑输创业板指。下周推荐投资组合包括火炬电子、立讯精密、长盈精密、欧菲光,权重各为25%。
关键信息
技术发展
- 3D NAND SSD:最大持续读取速率达 $1800\mathrm{Mb/s}$,最大写入速率达 $560\mathrm{Mb/s}$,具备更高的存储密度和性能。
- Hololens:配置24个数字处理核心、8Gb SRAM内存,全息成像处理速度比软件实现方式快200倍,支持手势控制,提升人机交互体验。
- Type-C接口:传输速度提升20倍,充电功率提升10倍,可缩短充电时间 $90%$,是下一代智能终端接口。
- 可穿戴设备:用户规模持续扩大,预计2018年将达到8170万,成为医疗和健康领域的新兴应用方向。
- AR/VR:Insta360获苏宁战略投资,Sliver.tv获620万美元融资,显示资本市场对AR/VR领域的关注。
行业动态
- 半导体行业:中国大陆封测企业跻身全球前三,如日月光、矽品、长电科技等。
- AMOLED市场:预计2020年出货占比将达 $22%$,带动封装材料市场增长 $76%$。
- 碳纳米管技术:北大团队实现碳纳米管晶体管批量制备,集成度达到140个晶体管,接近商用 $65\mathrm{nm}$ 技术节点水平。
- 红外探测器:高德红外打破国外技术封锁,其探测器灵敏度和探测距离优于法国同类产品。
公司公告
- 华微电子:上半年营收增长11.37%,净利润增长34.54%,重点推进IGBT和二极管产品系列化。
- 通富微电:营收同比增长56.95%,完成二季度生产计划,盈利能力增强。
- 鸿利智汇:营收和净利润大幅增长,受益于LED照明市场需求提升。
- 长园集团:营收同比增长53.95%,净利润增长79.49%,因合并智能工厂装备子公司珠海运泰利所致。
- 欧比特:因重大事项停牌,涉及发行股份购买资产。
行业前景与政策支持
- 存储芯片是半导体产业最大的产品品类之一,占 $20%$,是信息产业自主可控的关键领域。
- 国家政策持续扶持存储芯片产业,预计未来5年仍将保持强劲增长。
- 电子行业估值处于历史中高位,建议关注具备实际业绩贡献的板块。
总结
3D NAND技术的快速发展为存储芯片国产化提供了重要机遇,而AR、Type-C接口等新兴技术则进一步推动了电子元器件行业的创新与转型。在政策支持和市场需求的双重驱动下,存储芯片、手机创新零部件等板块具备良好的投资价值。同时,行业整体估值偏高,需关注结构性机会。
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