20160322-广发证券-电子行业_存储芯片系列报告之二_韩国模式成在何因_中国机遇途归何处_22页_1mb

电子行业：存储芯片系列报告之二总结

核心内容

本报告分析了韩国存储芯片产业的发展模式，并将其作为中国半导体产业发展的参考。通过对比中韩两国在半导体产业发展的异同，探讨了中国在存储芯片领域的机遇与挑战，提出中国有望在存储芯片领域实现弯道超车。

主要观点

韩国模式成在何因

• 政企合作：韩国政府与财团密切合作，通过政策支持、资金投入、技术引进和人才储备，推动半导体产业快速发展。
• 资金驱动：韩国通过立法减税、政府托底和财团投资，确保了半导体产业的资金链不断。
• 技术突破：通过引进、消化、吸收和创新，韩国实现了从落后到领先的跨越式发展。
• 人才战略：高薪引进外籍人才，结合本土研发团队，形成强大的技术储备和创新能力。
• 逆周期投资：在行业低迷期加大投资，通过扩大产能和研发新世代产品，实现技术赶超。

中国机遇途归何处

• 国家意志推动：中国半导体产业在国家政策支持下，正迎来发展的关键阶段。
• 市场潜力巨大：中国拥有庞大的存储器需求市场，尤其是智能手机、SSD等下游应用带动NAND Flash需求。
• 政策支持明确：中国政府出台多项扶持政策，包括税收优惠、产业基金支持等，为半导体产业发展提供有利环境。
• 技术更新加速：随着3D Flash等新工艺的发展，中国有机会在技术上实现快速追赶。
• 产业格局变化：DRAM行业已形成寡头垄断格局，而NAND Flash市场相对分散，为中国提供了更多机会。

关键信息

• 存储芯片的重要性：存储芯片占半导体产业产值的22%、晶圆产能和资本支出的近1/3。
• 中国存储芯片现状：中国存储芯片市场几乎完全依赖进口，已成为半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一。
• 武汉新芯项目：武汉新芯投资240亿美元建设内存晶圆厂，目标在2018年初开始生产，初期将切入3D NAND Flash领域。
• 行业周期性：DRAM产业具有显著的周期性，低谷期往往伴随企业整合和破产，只有大企业才能持续投资。
• 技术生命周期短：DRAM技术更新换代迅速，一代产品很快被新一代取代，对技术储备和创新能力要求极高。

中国半导体产业的三大历史性机遇

1. 全球半导体产业区域结构调整：世界半导体产业向发展中国家转移，为中国提供了发展机遇。
2. 政策扶持力度大：政府出台多项政策支持半导体产业发展，包括税收优惠、产业基金、保险补贴等。
3. 新应用与新工艺推动：移动智能终端、物联网、车联网等新应用领域，以及3D Flash等新工艺，为中国实现弯道超车提供了可能。

推荐关注的企业

• 华天科技：与武汉新芯战略合作，值得关注。
• 天华超净：半导体上游耗材供应商，具备重要地位。
• 上海新阳、南大光电、太极实业、长电科技、晶方科技、深科技：建议关注这些企业在存储芯片产业链中的表现。

风险提示

• 下游需求不及预期：存储芯片需求受宏观经济和终端市场影响较大。
• 技术更新换代风险：技术快速迭代可能导致企业难以维持竞争力。

行业评级

• 行业评级：买入
• 前次评级：买入
• 报告日期：2016-03-22

附录信息

• NAND Flash需求增长：智能手机和SSD是NAND Flash的主要应用领域，2014年合计占比接近70%。
• NAND Flash市场相对分散：与DRAM市场不同，NAND Flash市场厂商数量较多，竞争格局较为分散。
• Memory产业由IDM厂商主导：主要Memory厂商如三星、SK海力士、美光等占据主导地位。
• 封测企业概况：全球主要Memory封测企业包括力成、华天科技、南茂科技、UTAC等，其中中国企业在封测领域具有重要地位。

结论

韩国存储芯片产业的发展模式为“政企合作”，通过政府和企业的协同努力，在资金、技术、人才等方面实现持续投入，最终实现技术赶超和产业领先。中国在当前国家政策支持、市场潜力巨大、技术更新迅速的背景下，具备实现存储芯片产业弯道超车的条件。通过借鉴韩国经验，结合自身优势，中国有望在未来存储芯片领域取得突破性进展。