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行业研究：AI算力设施驱动SiC/GaN器件需求增长

本报告分析电子行业中第三代半导体材料（SiC/GaN）的发展趋势，重点关注AI算力设施对高功率供电系统的需求。随着AI服务器与数据中心的算力需求持续提升，传统的供电架构已无法满足效能、功率密度和系统效率的要求，促使产业向800V高压直流（HVDC）方案迁移。

SiC/GaN第三代半导体材料因具备高耐压、高导通率及高开关频率等特性，逐渐成为满足AI服务器与数据中心供电系统的理想材料。例如，8月初英伟达更新800V直流电源架构合作商名录中，氮化镓龙头企业英诺赛科技术入选，为AI数据中心提供全链路氮化镓电源解决方案。此类技术还可应用于HVDC架构与服务器电源模块，实现电力转换效率提升，降低能耗和成本。

此外，部分投资者认为第三代半导体在新能源汽车等领域的渗透率上升可能限制其未来增长空间，但报告指出，AI算力设施的供电系统需求是SiC/GaN器件的重要新增长点。预计短期内SiC/GaN在数据中心、充电设施及储能系统的渗透将持续扩大。头部厂商如英诺赛科、华润微、闻泰科技等正积极响应市场需求，通过扩大产能及技术布局，全面推进SiC/GaN器件在更广泛领域的应用。

建议投资者关注英诺赛科、闻泰科技、华润微、新洁能、斯达半导等企业。这些公司在SiC/GaN功率器件领域深耕多年，产能扩张迅速，受益于AI算力设施对高功率半导体材料的需求增长。风险包括消费电子与AI应用场景需求不及预期的风险，以及行业竞争格局的变化。