20260716-海通国际-功率半导体年内第二轮涨价潮_AI算力驱动需求分化_SiC_GaN进入_黄金窗口期_3页_96kb

功率半导体年内第二轮涨价潮总结

核心内容概述

2024年7月起，全球超过20家功率半导体企业启动年内第二轮涨价，涨幅达10%-25%，涵盖硅基MOSFET/IGBT、SiC与GaN等全品类产品。此次涨价潮由AI算力需求激增驱动，具有显著的结构性特征，其持续性预计优于2021-22年的库存周期型涨价。

主要观点

1. 涨价驱动因素

• AI算力需求爆发：AI数据中心功率密度快速提升，从200kW级向500kW乃至1MW迈进，英伟达下一代Rubin平台单机柜功率将突破600kW，推动对电源管理芯片和功率器件的大量需求。
• 800V HVDC架构普及：数据中心供电正从传统400V交流系统向800V HVDC架构转型，显著提升单机柜功率器件的价值量。
• 8英寸产能被挤压：AI芯片需求大量挤占8英寸成熟制程产能，导致功率器件代工产能收缩，加剧供给紧张。

2. SiC与GaN的分工格局

• SiC主攻高压场景（1200V以上），用于固态变压器（SST）、功率因数校正（PFC）等，预计2025-2030年CAGR为25%，市场规模将从27.3亿美元增至84.1亿美元。
• GaN主攻中低压场景（40V-650V），应用于中间总线转换器（IBC）、电压调节模块（VRM）等，预计2025-2030年CAGR接近50%，市场规模将从5.5亿美元增至41.5亿美元，其中数据中心将成为GaN增速最快的领域，预计2030年占GaN功率市场的37.3%。

3. 行业趋势转变

• 行业正从“普惠增长”进入“分化竞争”阶段。
• 竞争焦点从器件结构创新转向热管理与先进封装能力。
• 系统级交付能力（如模块化方案）成为获取客户的关键。

关键信息

涨价趋势与预期

• 2026下半年：功率器件涨价趋势延续但斜率放缓。
• 2027年起：SiC 6英寸可能率先降价，8英寸SiC和AI电源GaN将维持结构性紧缺。

投资价值判断

• 紧缺象限（8英寸SiC、AI电源GaN、车规IGBT）中的企业将享受量价齐升。
• 过剩象限（6英寸SiC、低端消费/工控MOSFET）中的企业则面临价格和市场份额的双重压力。

风险提示

1. AI资本开支不及预期：若北美CSP资本开支增速放缓或AI服务器部署节奏低于预期，可能影响AI功率半导体需求，导致涨价周期提前结束。
2. SiC 6英寸产能过剩：若国内厂商继续扩产，可能加剧价格战，影响行业盈利。
3. GaN产能集中释放：若2027-2028年全球GaN产线集中投产，ASP（平均售价）可能承压，影响高增速赛道的盈利能力。
4. 汽车功率器件供给紧张：AI订单挤占8英寸产能，可能导致中低端车规功率器件拿货困难，反噬新能源汽车供应链。
5. 地缘政策风险：若美国升级对华半导体设备出口管制，可能影响国内SiC/GaN衬底及器件的扩产节奏。

投资建议

重点关注在“紧缺象限”中具备产能和客户资源的功率半导体企业，尤其是具备8英寸SiC晶圆制造能力和AI电源GaN产品线的企业。同时，需警惕“过剩象限”中因价格战和产能过剩带来的风险。

报告分析师

• 崔冰睿：SFC HK执业证书编号：BUD052
• 金稚皓：SFC HK执业证书编号：BXI779

免责声明

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