【研报】半导体行业深度报告:IGBT功率半导体研究框架-20201202(103页)_6mb
报告摘要
IGBT功率半导体研究框架总结
核心内容
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种功率开关器件,用于直流与交流电之间的转换。它在节能环保、新能源汽车、工业控制、轨道交通和新能源发电等领域具有广泛的应用。随着技术的不断进步,IGBT已发展至第七代,主要趋势是从材料利用效率的提升向模块及系统整合方向发展。
主要观点
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行业增长
- 主要增长动力来自新能源汽车、工业领域(新基建)、新能源发电及轨道交通。
- 中国在新能源汽车和高铁领域具备明显优势,推动了IGBT需求的增长。
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行业趋势
- 技术引领行业发展,IGBT技术不断升级,提升性能与效率。
- 随着硅材料的极限,行业逐步向模块化、系统化发展。
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行业壁垒
- IGBT的制造流程复杂,工艺周期长达2.5-3个月,对参数要求极高。
- 企业需要长时间积累经验,才能实现稳定生产。
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竞争格局
- 行业呈现头部集中趋势,主要由英飞凌、三菱、富士、意法半导体、安森美等国际巨头主导。
- 中国企业在高铁和新能源汽车领域实现突破,推动国产替代进程。
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投资机会
- 国产替代是主要投资方向,建议关注功率晶圆代工、虚拟IDM和IDM企业。
- 重点企业包括华虹半导体、积塔半导体、中芯国际、斯达半导、比亚迪半导体、中车时代半导体、华润微、闻泰科技、士兰微等。
关键信息
应用领域与市场需求
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低压(600V)
- 主要应用于变频白色家电(空调、冰箱)和传统燃油汽车电子点火系统。
- 中国变频空调销量约6800万台,变频冰箱销量约2000万台,变频洗衣机约2600万台。
- 2019年全球家电销量达5.7亿台,同比增长约4%。
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中压(1200V)
- 工业领域(如逆变焊机、变频器)和UPS电源为主要应用。
- 中国高压变频器市场预计2023年达到175亿元,变频器市场规模预计未来5年保持10%以上增长。
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高压(3300V以上)
- 主要应用于新能源发电(光伏、风电)和轨道交通(高铁)。
- 中国新能源发电装机容量持续增长,2019年达4.1亿kW,占全国总装机容量的五分之一。
市场规模与增长
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全球市场规模
- 2018年全球IGBT分立器件市场规模13.1亿美元,IPM模块16.8亿美元,IGBT模块32.5亿美元。
- 2016年中国IGBT市场规模15.4亿美元,2018年达19.23亿美元,复合年均增长率11.74%。
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中国市场增长
- 中国IGBT市场增速高于全球,2010-2018年复合增长率达18.2%。
- 预计2020年中国IGBT需求达1.1亿只,而国内供给仅0.2亿只,存在巨大供需缺口。
IGBT技术演进
- IGBT经历了7代技术升级,包括衬底从PT穿通、NPT非穿通到FS场截止,栅极从平面到Trench沟槽,再到微沟槽。
- 每代产品在芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等方面不断优化。
- 2018年全球IGBT单管市场中,英飞凌、三菱、富士、安森美、意法半导体等占据主要市场份额。
IGBT封装与制造
- IGBT模块制造涉及芯片封装、焊接工艺、DBC基板等,技术复杂,工艺流程长,对可靠性要求高。
- 封装技术包括标准焊接、烧结、压力接触等,以提高功率密度和散热效率。
- 中国企业在封装工艺上不断改进,如低温银烧结和塑封工艺。
国产替代进展
- 国内企业认证周期从5年缩短至1年,晶圆代工厂为功率半导体企业提供强大的制造支持。
- 士兰微、比亚迪半导体等企业已实现部分国产替代,与国际厂商竞争。
- 国内企业面临技术壁垒,需通过技术积累与市场拓展实现突破。
未来展望
- IGBT行业将持续受益于新能源汽车、工业自动化、新能源发电和轨道交通等领域的快速发展。
- 国产替代将成为重要趋势,国内企业有望复制英飞凌、三菱等企业的成功路径。
- 技术研发与市场拓展并重,未来IGBT将向更高功率、更高效率、更可靠的方向发展。
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