IGBT深度研究——军民两用元器件系列研究之功率半导体_41页_3mb

报告摘要

功率半导体器件是电力电子装置实现电能转换与电源管理的核心器件，主要功能包括变频、变压、整流、功率转换和管理等，具有节能功效。其主要应用于移动通讯、消费电子、电动车、轨道交通、工业控制、发电与配电等领域，主要分为功率分立器件、功率集成电路（Power IC）和功率模组三类。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，兼具高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被誉为功率变流装置的“CPU”。自上世纪80年代以来，IGBT经历了六代技术演变，目前全球市场由欧洲、美国和日本企业主导，占据了大约70%的市场份额。

市场前景广阔：全球功率半导体市场预计在2022年达到426亿美元，年复合增长率约为3.79%。中国成为IGBT需求上升最快的国家之一，2018年市场规模达153亿元人民币，预计2025年将达522亿元人民币，年复合增长率达19.11%。
国产化趋势明显：功率二极管是中国发展最好、国产化率最高的功率半导体器件。MOSFET市场集中度高，前八大供应商占约75%的市场份额，但本土企业士兰微和华微电子仅占1.8%和1.1%。IGBT市场中，中国厂商虽起步较晚，但具备较高的实现进口替代的可能性。
下游需求推动增长：
- 军用需求：军用功率半导体加快国产化进程，保障国防安全成为重要驱动力。
- 新能源汽车：新能源汽车的普及带动了IGBT市场需求，其成本约占整车成本的7.5%-10%，预计到2025年，中国新能源汽车所用IGBT市场规模将达到210亿元人民币。
- 5G通信：5G基站建设大幅增加通信领域对功率半导体的需求，预计全球通信领域功率半导体市场规模将在2021年达到70.81亿美元。
- 物联网：物联网的爆发式增长将推动功率半导体规模化应用，预计到2020年全球市场规模将达1.9万亿美元。
国内厂商优势：国内厂商在成本和定制化方面有相对优势，且拥有全球最大的功率半导体需求市场，具备较高的进口替代潜力。

功率二极管：中国是全球最大的生产国和出口国，国际大厂正逐步将产能向中国大陆和中国台湾转移。
MOSFET：全球市场集中度高，前八大供应商占约75%的市场份额。中国本土企业市占率较低，但具备替代潜力。
IGBT：全球市场年复合增长率维持在7%-9%之间，中国成为IGBT需求上升最快的国家之一。目前IGBT模块几乎全部依赖进口，市场由英飞凌、三菱等国际大厂主导。

振华科技：在军用功率半导体领域具备较强竞争力，横向收购森禾科技后进入IGBT领域，具备较强的国产替代潜力。
斯达半导：国内IGBT领域领军企业，已成功开发近600种IGBT模块产品，产品覆盖100V~3300V和10A~3600A范围，应用于新能源汽车、变频器等多个领域。
扬杰科技：领先的半导体分立器件制造企业，核心产品包括功率二极管、MOSFET、碳化硅器件等，广泛应用于光伏、电表、电源设备等领域。