20260525-国金证券-国金计算机刘高畅丨电容_电RAM_14页_1mb

电容：电RAM 总结

核心内容

电容在AI算力系统中扮演着“算力的能量缓冲”角色，其重要性随着算力需求的爆发性增长而显著提升，成为继HBM之后的新瓶颈。随着AI服务器功耗的跃升，被动元器件需求同步增加，尤其是MLCC、铝电解电容和超级电容三类电容在AI服务器中形成功能互补的扩张矩阵。

主要观点

1.1 算力爆发触发功耗倍增传导链，被动元器件迎来量价齐升

• AI服务器单机柜功耗已突破百千瓦，如NVIDIA GB300 NVL72平台单卡功耗达1400W，整机柜满载功耗约130-140kW。
• 功耗倍增直接导致被动元器件用量倍增，如村田披露GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，整机柜消耗高达44万颗。
• 随着算力升级，MLCC用量预计从2025年到2030年增长约3.3倍。

1.2 三类电容同步进入景气区间，形成扩张矩阵

• AI服务器内部电容可分为三类：MLCC（板式电容，纳秒级滤波）、铝电解电容（中间级滤波）、超级电容（储能调峰）。
• 三类电容在AI服务器中并存放量，不构成替代关系。
• 超级电容因从无到有的渗透，增量弹性最大。

1.3 电容成为继HBM之后的算力新瓶颈，“电RAM”叙事浮现

• 电容在算力链中与HBM具有相似的“量价齐升+涨价超预期”传导路径。
• 高端MLCC现货价上涨15-35%，交期拉长至16-20周，库存处于5年低位。
• 超级电容与锂电池、柴发共同构成AIDC的多级备电体系，满足AI阶跃式脉冲需求。

1.4 中国厂商在电容主场卡位显著，具备全产业链能力

• 中国厂商在电容产业链中具备从材料到成品的全产业链能力，尤其在铝电解电容、超级电容、积层箔电容器等细分领域。
• 东阳光在积层箔环节拥有全球独家专利和唯一工厂，具备显著竞争优势。
• 高纯铝、电子光箔、电极箔构成电容材料底座，国内厂商在这些环节深度卡位。

关键信息

产业链全景

• 高纯铝—电子光箔—电极箔构成电容材料底座，国内厂商深度卡位。
• 腐蚀箔/化成箔与积层箔形成代际接力，新一代电极箔打开高端电容空间。
• 三类电容（MLCC、铝电解电容、超级电容）在AI服务器中承担不同储能场景，各擅胜场。
• 服务器电源、PCS超容储能、SST固态变压器三大终端场景共振放量，电容用量进一步提升。

电容在AI数据中心中的关键作用

• 超级电容承担机柜级调峰与短时备电双重职责，与锂电池形成互补。
• SST固态变压器是800V HVDC架构的终极方向，推动电容用量倍数级增长。
• MLCC用量与AI服务器代际跃迁同步提升，VR200单机柜MLCC价值量较GB300增加182%。

相关标的

• 超级电容：东阳光、江海股份、思源电气、海星股份、元力股份、艾华集团。
• MLCC：信维电子、泰晶科技、水晶光电、三环集团。
• SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克。
• SST所需SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电。

风险提示

• AI资本开支不及预期：若下游客户因ROI验证、基础设施约束等下修资本开支，将影响电容需求。
• AI服务器代际推进不及预期：若新一代AI芯片平台量产延后，将影响电容需求兑现节奏。
• 800V HVDC与SST渗透不及预期：产业化受数据中心架构标准、客户导入验证等因素影响。
• 海外大客户认证进度不及预期：认证周期长且存在不确定性，可能影响订单落地节奏。

结论

电容作为AI算力系统中的关键组件，其重要性正从“配套环节”转向“瓶颈卡位”。随着AI服务器功耗的持续提升，电容需求量和价值量同步增长，中国厂商凭借全产业链优势和核心技术卡位，在全球电容市场中占据重要地位，具备长期增长潜力。