> **来源：[研报客](https://pc.yanbaoke.cn)** # 电容：AI算力的能量缓冲 ## 核心内容 随着AI算力的爆发式增长，电容在AI服务器中的重要性显著提升，成为继HBM之后的算力新瓶颈。电容在AI服务器中承担着电压滤波、电源供应匹配以及储能调峰等多重功能，其用量与价值量随AI服务器的代际跃迁而同步增长。 ### AI功耗爆发驱动被动元器件代际跃迁 - **AI服务器功耗提升**：英伟达GB300 NVL72平台单卡B300 GPU典型功耗约1400W，整机柜满载功耗达到130-140kW，较H100机柜的约40kW实现约3.5倍跃迁。 - **MLCC用量与价值量提升**：GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，整机柜消耗高达44万颗；VR200单机柜MLCC用量较GB300增加30%以上，价值量增加182%。 - **电源架构升级**：NVIDIA推动800V HVDC架构，结合SST固态变压器，对电容提出更高要求，推动其在AI数据中心的用量倍增。 ### 三类电容协同工作 AI服务器内部电容分为三类： - **MLCC**：部署在GPU/CPU周边，承担纳秒级电压滤波。 - **铝电解电容**：部署在PSU电源侧，承担中间级滤波。 - **超级电容**：部署在机柜电源架，承担毫秒至秒级储能调峰。 这三类电容在AI服务器内并存放量，形成协同效应，而非替代关系。 ### 中国厂商具备全产业链优势 - **上游材料**：中国厂商在高纯铝、电子光箔、电极箔等环节具备核心竞争力，尤其是东阳光在积层箔领域拥有全球独家专利。 - **中游成品**：中国厂商在铝电解电容、超级电容、MLCC等领域具备规模化生产能力，如东阳光、江海股份、思源电气等。 - **下游应用**：随着AI服务器功耗提升，电容在服务器电源、PCS超容储能、SST固态变压器等场景中需求同步增长。 ## 主要观点 - **电容作为算力瓶颈**：电容在AI算力系统中扮演“电RAM”角色，成为关键瓶颈，其需求增长与HBM类似，具备量价齐升的潜力。 - **供需剪刀差形成**：高端MLCC市场由日韩厂商主导，而中国厂商在铝电解电容与超级电容方面具备显著替代能力。 - **产业链纵深**：中国厂商在电容产业链的各个层级均有布局，形成从材料到成品的完整能力链，具备更强的产业纵深。 ## 关键信息 - **NVIDIA推动800V HVDC架构**：预计2027年全面部署，推动AI服务器功耗提升至600kW量级，电容用量倍增。 - **超级电容在AI中的作用**：承担机柜级调峰与短时备电，与锂电池形成互补关系。 - **MLCC用量增长**：从H100到Rubin Ultra，单机柜MLCC用量从约4.8万颗增加至430万颗，预计2030年AI服务器MLCC需求较2025年增长3.3倍。 - **中国厂商优势**：东阳光在积层箔领域具备全球唯一工厂，江海股份在铝电解电容与超级电容领域具备规模化供货能力，信维电子、泰晶科技等在MLCC领域具备竞争力。 ## 相关标的 - **超级电容**：东阳光、江海股份、思源电气、海星股份、元力股份、艾华集团 - **MLCC**：信维电子、泰晶科技、水晶光电、三环集团 - **SST（固态变压器）**：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克 - **SiC（碳化硅）**：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电 ## 风险提示 - **AI资本开支不及预期**：若下游客户因ROI、基础设施限制或融资环境变化而减少投入，将影响电容需求。 - **AI服务器代际推进不及预期**：若新一代AI服务器推进缓慢，可能影响电容的用量增长。 - **800V HVDC与SST渗透不及预期**：若新型供配电方案推广缓慢，可能影响电容在AI数据中心的渗透。 - **海外大客户认证不及预期**：若海外头部客户认证进度滞后，可能影响相关厂商的订单获取与市场份额提升。 ## 总结 电容作为AI算力系统的能量缓冲组件，其重要性随着AI算力需求的激增而显著提升。三类电容（MLCC、铝电解电容、超级电容）在AI服务器中并存放量，共同支撑算力系统的稳定运行。中国厂商在电容产业链的各个层级具备核心竞争力，尤其在积层箔、铝电解电容及超级电容领域，形成完整的产业链布局。随着NVIDIA推动800V HVDC与SST架构，电容的用量与价值量将同步提升，中国厂商有望在这一进程中占据有利地位。