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电容：AI算力的能量缓冲

核心内容

随着AI算力的爆发式增长，电容在AI服务器中的重要性显著提升，成为继HBM之后的算力新瓶颈。电容在AI服务器中承担着电压滤波、电源供应匹配以及储能调峰等多重功能，其用量与价值量随AI服务器的代际跃迁而同步增长。

AI功耗爆发驱动被动元器件代际跃迁

• AI服务器功耗提升：英伟达GB300 NVL72平台单卡B300 GPU典型功耗约1400W，整机柜满载功耗达到130-140kW，较H100机柜的约40kW实现约3.5倍跃迁。
• MLCC用量与价值量提升：GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，整机柜消耗高达44万颗；VR200单机柜MLCC用量较GB300增加30%以上，价值量增加182%。
• 电源架构升级：NVIDIA推动800V HVDC架构，结合SST固态变压器，对电容提出更高要求，推动其在AI数据中心的用量倍增。

三类电容协同工作

AI服务器内部电容分为三类：

• MLCC：部署在GPU/CPU周边，承担纳秒级电压滤波。
• 铝电解电容：部署在PSU电源侧，承担中间级滤波。
• 超级电容：部署在机柜电源架，承担毫秒至秒级储能调峰。

这三类电容在AI服务器内并存放量，形成协同效应，而非替代关系。

中国厂商具备全产业链优势

• 上游材料：中国厂商在高纯铝、电子光箔、电极箔等环节具备核心竞争力，尤其是东阳光在积层箔领域拥有全球独家专利。
• 中游成品：中国厂商在铝电解电容、超级电容、MLCC等领域具备规模化生产能力，如东阳光、江海股份、思源电气等。
• 下游应用：随着AI服务器功耗提升，电容在服务器电源、PCS超容储能、SST固态变压器等场景中需求同步增长。

主要观点

• 电容作为算力瓶颈：电容在AI算力系统中扮演“电RAM”角色，成为关键瓶颈，其需求增长与HBM类似，具备量价齐升的潜力。
• 供需剪刀差形成：高端MLCC市场由日韩厂商主导，而中国厂商在铝电解电容与超级电容方面具备显著替代能力。
• 产业链纵深：中国厂商在电容产业链的各个层级均有布局，形成从材料到成品的完整能力链，具备更强的产业纵深。

关键信息

• NVIDIA推动800V HVDC架构：预计2027年全面部署，推动AI服务器功耗提升至600kW量级，电容用量倍增。
• 超级电容在AI中的作用：承担机柜级调峰与短时备电，与锂电池形成互补关系。
• MLCC用量增长：从H100到Rubin Ultra，单机柜MLCC用量从约4.8万颗增加至430万颗，预计2030年AI服务器MLCC需求较2025年增长3.3倍。
• 中国厂商优势：东阳光在积层箔领域具备全球唯一工厂，江海股份在铝电解电容与超级电容领域具备规模化供货能力，信维电子、泰晶科技等在MLCC领域具备竞争力。

相关标的

• 超级电容：东阳光、江海股份、思源电气、海星股份、元力股份、艾华集团
• MLCC：信维电子、泰晶科技、水晶光电、三环集团
• SST（固态变压器）：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克
• SiC（碳化硅）：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电

风险提示

• AI资本开支不及预期：若下游客户因ROI、基础设施限制或融资环境变化而减少投入，将影响电容需求。
• AI服务器代际推进不及预期：若新一代AI服务器推进缓慢，可能影响电容的用量增长。
• 800V HVDC与SST渗透不及预期：若新型供配电方案推广缓慢，可能影响电容在AI数据中心的渗透。
• 海外大客户认证不及预期：若海外头部客户认证进度滞后，可能影响相关厂商的订单获取与市场份额提升。

总结

电容作为AI算力系统的能量缓冲组件，其重要性随着AI算力需求的激增而显著提升。三类电容（MLCC、铝电解电容、超级电容）在AI服务器中并存放量，共同支撑算力系统的稳定运行。中国厂商在电容产业链的各个层级具备核心竞争力，尤其在积层箔、铝电解电容及超级电容领域，形成完整的产业链布局。随着NVIDIA推动800V HVDC与SST架构，电容的用量与价值量将同步提升，中国厂商有望在这一进程中占据有利地位。