半导体行业:掩模版,光刻蓝本蓄力国产替代,国内成长空间广阔-20231021-华安证券-21页_1mb
报告摘要
掩模版:光刻蓝本蓄力国产替代,国内成长空间广阔
核心内容
掩模版是微电子制造过程中用于图形转移的关键材料,其精度和质量直接影响下游产品的优品率。它在半导体、平板显示、PCB、触控屏等领域广泛应用,是光刻工艺的核心环节,占集成电路制造材料总成本的13%。随着半导体和面板技术的持续升级,掩模版市场将呈现增长趋势。
主要观点
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掩模版的重要性
掩模版是芯片电路图的转移模板,是连接设计与制造的桥梁。其精度要求极高,尤其在半导体领域,最小线宽≤0.5μm,CD精度≤0.02μm,是光刻工艺中不可或缺的关键材料。 -
掩模版具备抗周期属性
由于掩模版是定制化产品,终端电子产品在下行周期时仍需研发新品,从而带动掩模版需求。此外,晶圆厂为提高产能利用率,也会为中小芯片设计企业提供代工服务,进一步支撑市场需求。 -
全球市场格局
全球掩模版市场主要由海外企业主导,美国Photronics、日本Toppan和DNP三家巨头占据80%以上市场份额。在平板显示领域,美日韩企业占据垄断地位,而国内企业则在半导体掩模版领域逐步推进国产替代。 -
国内成长空间广阔
当前国内半导体掩模版国产化率约10%,高端产品国产化率仅3%,存在较大替代空间。2023年下半年,国内掩模版厂商纷纷公告先进制程(130nm-28nm)的研发与产能规划,加速国产替代进程。
关键信息
市场规模与增长潜力
- 全球半导体掩模版市场规模约87亿美元,具备一定抗周期属性。
- 平板显示掩模版市场全球约61亿元,预计2025年达65亿元,中国大陆占比达57%。
- 随着半导体集成度提升、Chiplet技术发展及OLED渗透率提升,掩模版需求持续增长。
技术难点与突破
- 掩模版制造涉及CAM版图处理、光刻、检测三大核心技术,其中光刻为核心环节。
- 130nm以下制程需突破OPC、PSM及电子束光刻技术,技术门槛高。
- 国内企业已实现光阻涂布技术的突破,逐步打破国外垄断。
产能与研发进展
- 路维光电已实现180nm制程掩模版量产,具备G2.5-G11全世代掩模版生产能力,正推进130nm-28nm节点产能建设。
- 清溢光电专注8.5代以下小尺寸高清面板领域,已实现180nm掩模版量产,正在研发130nm-65nm节点工艺,计划开发28nm节点产品。
国内企业布局
- 国内掩模版企业积极布局先进制程,推动国产替代进程。
- 2023年下半年,多家企业宣布建设130nm-28nm制程掩模版产线,加速高端产品国产化。
建议关注企业
- 路维光电:国内高世代掩模版领先厂商,实现180nm制程量产,正在推进130nm-28nm节点产能建设。
- 清溢光电:国内成规模掩模版生产企业,已实现180nm掩模版量产,正在研发130nm-65nm及28nm节点产品。
风险提示
- 市场竞争加剧
- 重资产经营风险
- 主要原材料和设备依赖进口
- 产品进展不及预期风险
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