【研报】半导体行业:功率半导体赛道分析-20200916(126页)景略咨询_4mb
报告摘要
功率半导体赛道分析总结
行业总览
功率半导体广泛应用于所有电力电子领域,市场成熟且增速缓慢,主要依赖新能源汽车、可再生能源发电、变频家电等新兴领域带来的需求增长。2018年全球功率器件市场规模为391亿美元,中国为138亿美元,占全球35%。预计到2025年,国内新能源汽车、充电桩、光伏和风电四大领域将提供约200亿元的纯增量市场。
行业发展趋势
趋势一:集成化与模块化发展
功率半导体行业不需追赶摩尔定律,主要依赖制程工艺、封装设计和新材料迭代。分立器件市场增速为2.2%,而功率模块市场增速为5.4%。封装环节价值量占比达35%以上,可靠性要求高。中高端产品如IGBT和功率MOSFET需求增长显著,国内企业正向中高端转型。
趋势二:第三代半导体兴起
新能源与5G通信推动第三代半导体(如SiC和GaN)的产业化进程。国内在该领域有较大的市场空间,且技术追赶速度快,国产化程度高。第三代半导体材料具有更高的禁带宽度、电子迁移率和热导率,适用于高频、高功率、高温和抗辐照等场景。
趋势三:IDM模式为主,代工为辅
海外功率半导体企业普遍采用IDM模式,国内企业也以IDM为主,同时与代工企业合作,实现产能补充与工艺技术支持。国内IDM企业如士兰微、华润微、扬杰科技等正在扩充产能,提升技术水平。
投资建议
推荐关注以下企业:
- 闻泰科技(600745):全球标准器件龙头
- 华润微(688396):代工与IDM模式并行,拥有全面的产品线
- 扬杰科技(300373):国内功率器件领军企业
- 捷捷微电(300623):国内晶闸管龙头
- 斯达半导(603290):国内IGBT模块龙头
同时建议关注:
- 华微电子(600360):老牌功率IDM企业
- 三安光电(600703):化合物半导体代工龙头
- 台基股份(300046):大功率器件优质公司
- 士兰微(600460):产品线丰富的IDM龙头
- 派瑞股份(300831):高压、大功率晶闸管龙头
风险提示
- 外部冲击风险
- 研发进展不及预期
- 产线建设进展不及预期
- 下游需求不及预期
- 客户认证不及预期
市场与产品特点
- 市场特点:成熟、需求量大、应用范围广
- 产品特点:
- 寿命长、迭代慢、利润较低
- 难点在于制程和封装工艺
- 不遵循摩尔定律
- 资本投入中等,人才与技术是核心
国内功率半导体行业发展催化剂
- 市场需求:5G和新能源汽车打开需求上升空间,中国是最大市场
- 政策支持:十四五、国务院《若干政策》全面支持国产半导体发展
- 人才回流:中美摩擦导致人才回流,改善基础教育认知
- 资金门槛:投资门槛低于逻辑电路,产能拓展容易
- 技术配套:国内产业链配套齐全,制造和封测处于国际先进水平
发展路径
- 设备与材料产业化:推动国产化替代
- 产能扩张:IDM企业扩大产能,代工与IDM合作
- 产品升级:从低端向高端延伸,包括二极管、MOSFET、IGBT等
- 性能提升:提升产品性能、品牌知名度、获得客户认证,实现市场份额扩张
国内功率器件制造产能分布(2019年)
| 公司名称 | 产业链模式 | 产能分布 |
|---|---|---|
| 安世半导体 | IDM | 德国8英寸35千片/月,英国6英寸24千片/月(八寸当量) |
| 吉林华微电子 | IDM | 吉林:4英寸80千片/月,5英寸130千片/月,6英寸65千片/月,8英寸80千片/月(一期) |
| 华润微电子 | IDM | 重庆:8英寸50千片/月(两年扩至70千片/月),12英寸产线规划;无锡:6英寸206千片/月,8英寸61千片/月 |
| 扬州扬杰科技 | IDM | 4英寸1000千片/月,6英寸70-80千片/月(规划扩产) |
| 苏州固锝电子 | IDM | 3英寸线,4英寸线 |
| 杭州士兰微 | IDM | 士兰集成5/6英寸220千片/月,士兰集昕8英寸45千片/月,士兰明镓化合物4/6英寸产能爬坡,厦门士兰集科12英寸80千片/月(一期在建) |
| 中车时代电气 | IDM | 6英寸SiC 5千片/月,8英寸IGBT 50千片/月 |
| 深圳比亚迪 | IDM | 宁波:6英寸IGBT 100千片/月 |
| 吉林瑞能半导体 | IDM | 5英寸42千片/月,6英寸20千片/月 |
| 苏州捷捷微电 | IDM | IPO前:4英寸58千片/月;IPO后:功率半导体4英寸35千片/月,防护器件4英寸40千片/月;定增:电力电子芯片6英寸50千片/月,电子元器件芯片4英寸125千片/月(在建) |
| 北京燕东微电子 | IDM | 4英寸20千片/月,6英寸30千片/月,8英寸50千片/月(产能爬坡) |
| 台基股份 | IDM | 1-6英寸原有产能,6英寸20千片/月(改扩建) |
| 立昂微电子 | IDM | 立昂东芯:6英寸射频10千片/月;立昂微:6英寸MOSFET 35千片/月,6英寸二极管50千片/月 |
| 中环股份 | IDM | 天津:6英寸0.35微米功率半导体器件35千片/月 |
| 深爱半导体 | IDM | 原始:5英寸40千片/月;新增:4英寸45千片/月产线升级成5英寸;6英寸40千片/月 |
| 万国半导体 | IDM | 重庆:12英寸20千片/月(产能爬坡),12英寸50千片/月(二期规划) |
| 上海先进/积塔半导体 | 制造 | 漕河泾厂:5英寸、6英寸、8英寸65千片/月(8英寸等效晶圆);临港厂:8英寸60千片/月,12英寸50千片/月,6英寸SiC 5千片/月(在建) |
| 深圳方正微 | 制造 | 6英寸60千片/月(未来扩产至80千片/月) |
| 中芯绍兴 | 制造 | 上海/深圳:8英寸25千片/月;绍兴:8英寸40千片/月(规划产能8英寸42.5千片/月,2023年总产能扩至100千片/月) |
| 华虹半导体 | 制造 | 上海:8英寸180千片/月;无锡:12英寸40千片/月(产能爬坡) |
第三代半导体产业链布局
SiC与GaN器件
- SiC器件:主要应用于中、高功率电力电子领域,如轨道交通、电网、新能源车、充电桩等
- GaN器件:主要应用于射频领域,如5G通信、快充等
中国SiC与GaN产业链布局
| 公司 | 地点 | 产品 | 项目情况 |
|---|---|---|---|
| 三安光电 | 厦门 | SiC二极管、GaN-On-SiC Power | 已投产 |
| 三安光电 | 长沙 | SiC二极管、SiC MOS | 建设中 |
| 士兰明镓 | 厦门 | GaN器件 | 已投产 |
| 华润微电子 | 重庆 | 8英寸硅基氮化镓器件 | 研发中 |
| 华润微电子 | 无锡 | SiC JBS、600-1200V SiC MOS | 已投产 |
| 英诺赛科 | 珠海 | 100-650V GaN Power | 已投产 |
| 英诺赛科 | 苏州 | GaN-On-SiC | 建设中 |
| 海威华芯 | 成都 | 0.5-0.25微米GaN HEMT、GaN-On-SiC Power | 已投产 |
| 世纪金光 | 北京 | SiC SBD、SiC MOS、SiC功率模块 | 已投产 |
| 世纪金光 | 合肥 | SiC SBD、SiC MOS、SiC功率模块 | 2020年3月签约 |
| 中车时代半导体 | 株洲 | SiC SBD、SiC MOS | 已投产 |
| 基本半导体 | 深圳 | SiC SBD、SiC MOS、全SiC功率模块 | 已投产 |
| 国基南方 | 南京、扬州 | SiC SBD、SiC MOS | 已投产 |
| 江苏能华 | 张家港 | GaN HEMT、GaN SBD | 已投产 |
| 扬杰电子 | 扬州 | SiC SBD、SiC JBS | 已投产 |
| 苏州能冠 | 昆山 | GaN HEMT、GaN RF PA | 已投产 |
| 中晶半导体 | 东莞 | GaN器件 | 已投产 |
| 中鸿新晶 | 济南 | SiC器件、GaN RF、GaN Power | 已签约 |
| 富能半导体 | 济南 | SiC功率器件 | 2019年封顶 |
| 瑞能半导体 | 吉林 | 660-1200V SiC二极管 | 已投产 |
| 嘉兴斯达 | 嘉兴 | SiC功率模块 | 已投产 |
功率半导体产业链
产业链结构
- 设计环节:成本结构中IC设计占比较低,附加值主要在封装和材料
- 制造环节:以8英寸以下晶圆为主,12英寸产线正在扩展
- 封装及模块:封装价值量占比高,技术复杂,需考虑可靠性与成本
三代半导体材料对比
| 性能 | 第一代(Si/Ge) | 第二代(GaAs/GaN) | 第三代(SiC) |
|---|---|---|---|
| 禁带宽度(eV) | 1.12 / 0.67 | 1.43 / 3.37 | 3.26 / 3.00 |
| 击穿场强(MV/cm) | 0.3 / 0.1 | 0.4 / 3.3 | 3.0 / 5.0 |
| 热导率(W/cm*K) | 1.3 / 0.58 | 0.55 / 2.0 | 4.9 / 4.9 |
| 饱和电子漂移速率 (10^7 cm/s) | 1 / / | 1.3 / 2.2 | 2.5 / 2.5 / 2.5 |
第三代半导体应用及市场规模
- SiC:主要应用于中、高功率电力电子领域,市场规模预计快速增长
- GaN:主要应用于射频和中低压电力电子领域,市场由快充带动
- 全球SiC和GaN器件市场预计以25%-40%的速度增长
技术难点与挑战
- 衬底材料:
- Si:工艺成熟,成本低
- SiC:高导热性,但成本高,技术难度大
- GaN:自补偿型材料,p型掺杂困难,成本高
- 外延生长:技术复杂,良率低,成本高
- 芯片制造:涉及离子注入、金属电极等不成熟工艺
- 模组封装:需特殊耐热材料,成本高
总结
国内功率半导体行业在未来3-5年有望进入黄金发展期,国产替代进程快速。行业特点包括市场成熟、需求量大、应用广泛,且不遵循摩尔定律。国内企业正通过技术提升、产能扩张和产业链完善,逐步实现从低端向高端的转型,特别是在第三代半导体材料领域,具备良好的产业化基础和发展潜力。
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