20260624-国信证券-存储行业报告_AI推理需求重塑存储范式_国产存储迎产业升级期_27页_1mb

存储行业报告总结

核心内容概述

本报告分析了存储行业在AI推理需求推动下的发展趋势，指出存储市场正经历供需共振带来的跨越式增长。随着生成式AI的爆发，HBM、DDR5及高容量NAND的需求呈现结构性缺口，全球存储行业进入供不应求加速爆发期，存储价格持续上行。同时，国内存储厂商正迎来产业升级期，市占率和利润空间逐步提升。

主要观点

1. 存储市场增长趋势

• 供需共振：自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM、DDR5和高容量NAND的需求呈指数级增长，全球存储市场进入加速爆发期。
• 市场规模预测：
  • DRAM营收：预计2026年将突破5607亿美元，同比增长272%。
  • NAND营收：预计2026年将达2890亿美元，同比增长331%。
• 价格趋势：存储价格在2025年第三季度后加速拉升，1Q26环比增长达87%（DRAM）和98%（NAND），预计2Q26后增速放缓，但整体价格仍维持高位。

2. AI推理需求重塑存储范式

• 存储不再是单纯的算力配套资源，而是决定AI系统性能和上限的核心基础设施。
• 服务器成为主要需求市场：
  • 2026年服务器DRAM占比将超过50%。
  • 服务器NAND Bit需求预计大增超60%，并首次成为最大应用。
• 存储技术演进：
  • 企业级SSD加速替代传统机械硬盘。
  • 高带宽闪存（HBF）作为GPU的“高速硬缓存层”，具备高带宽、大容量和低成本优势。
  • DRAM技术向3D架构演进，以解决“内存墙”问题。

3. 国产存储迎来产业升级期

• 海外厂商调整战略：海外存储原厂将产能和资本开支向高附加值的AI应用倾斜，退出传统市场。
• 国产厂商机会：
  • 长江存储：NAND全球市占率升至6.8%，位列全球第六。
  • 长鑫存储：DRAM全球市占率升至7.5%，位列全球第四。
  • 国产模组厂商（如德明利、江波龙、佰维存储）在中高端手机、企业级市场加速导入。
  • 独立主控芯片厂商（如联芸科技）有望随国产厂商增长同步扩张。

关键信息

存储技术发展趋势

• HBM：出货量预计从1Q25不足500MU增至4Q26约1400MU，HBM4/5迭代加速。
• HBF：单堆栈容量可达HBM的8倍以上，读取延迟达到亚微秒级，单位容量成本低于HBM。
• NAND：全球NAND位元出货量稳步增长，闪存堆叠层数提升，单片晶圆存储密度显著增加。
• DRAM：向3D架构演进，先进封装（如HBM）成为短期解决“内存墙”的主流路径。

产业链变化

• 海外厂商退出传统市场：三星、SK海力士、美光逐步退出2D NAND和DDR4市场。
• 国内厂商填补需求：国产存储厂商有望填补2D NAND和利基DRAM市场的需求缺口，实现市占率提升与利润释放。

投资建议

• 关注重点企业：
  • 存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储。
  • 利基存储厂商：兆易创新、普冉股份。
• 行业前景：随着AI应用深化和海外厂商谨慎扩产，存储行业仍处于高景气度阶段。

风险提示

• 存储价格增长不及预期：若供给端提升超预期，可能导致价格下跌。
• 下游需求不及预期：AI应用进展或消费电子市场波动可能影响存储需求。
• 行业竞争加剧：国内半导体企业数量众多，部分细分市场可能出现竞争加剧。
• 国际关系变化风险：若国际关系发生不利变化，可能影响国内半导体产业链的稳定运营。

附图说明

• 图：存储市场规模：展示DRAM和NAND市场规模增长趋势。
• 图：NAND Flash存储密度变化趋势：反映NAND技术演进情况。
• 图：HBF的产品结构及性能比较：对比传统NAND、HBM与HBF的性能指标。
• 图：全球NAND位元需求结构：展示NAND市场各应用领域占比。
• 图：全球DRAM位元需求结构：展示DRAM市场各应用领域占比。
• 图：2D NAND全球出货量预期：预测2D NAND出货量下降趋势。
• 图：台股存储公司月度营收同比增速：反映台湾存储厂商增长情况。
• 图：国产化窗口带来国产厂商增量机遇：展示国产存储厂商市场拓展情况。

投资评级

• 投资评级：优于大市（维持）。
• 评级说明：基于报告发布日后6到12个月内公司股价表现与市场代表性指数的对比。

分析师承诺与声明

• 分析师承诺：报告所采用数据来自合规渠道，分析逻辑基于职业理解，力求独立、客观、公正。
• 重要声明：本报告仅供国信证券客户使用，不构成投资建议，投资者自行承担风险。