2024-04-29-上交所-南京晶升装备股份有限公司2023年年度报告_273页_3mb
报告摘要
南京晶升装备股份有限公司2023年年度报告总结
公司基本信息
- 公司代码:688478
- 公司简称:晶升股份
- 公司全称:南京晶升装备股份有限公司
- 法定代表人:李辉
- 注册地址:南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
- 办公地址:南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
- 公司网址:http://www.cgee.com.cn
- 电子信箱:cgee@cgee.com.cn
财务概况
主要会计数据(单位:元)
| 项目 |
2023年 |
2022年 |
增减(%) |
2021年 |
| 营业收入 |
405,570,772.55 |
221,992,886.25 |
+82.70 |
194,923,702.87 |
| 归属于上市公司股东的净利润 |
71,017,511.98 |
34,536,021.86 |
+105.63 |
46,979,593.54 |
| 扣除非经常性损益的净利润 |
42,390,985.42 |
22,712,245.16 |
+86.64 |
34,639,312.36 |
| 经营活动产生的现金流量净额 |
-91,689,806.41 |
18,484,201.85 |
-596.04 |
-11,512,007.47 |
| 归属于上市公司股东的净资产 |
1,582,992,270.33 |
520,616,603.12 |
+204.06 |
477,215,540.52 |
| 总资产 |
2,109,856,954.53 |
610,402,614.44 |
+245.65 |
545,974,203.63 |
主要财务指标(单位:元/股,%)
| 指标 |
2023年 |
2022年 |
增减(%) |
2021年 |
| 基本每股收益 |
0.56 |
0.33 |
+69.70 |
0.48 |
| 稀释每股收益 |
0.56 |
0.33 |
+69.70 |
0.48 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益 |
0.33 |
0.22 |
+50.00 |
0.36 |
| 加权平均净资产收益率 |
5.77 |
6.91 |
-1.14 |
17.25 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率 |
3.44 |
4.55 |
-1.11 |
12.72 |
| 研发投入占营业收入比例 |
9.37% |
9.35% |
+0.02% |
10.12% |
分季度财务数据(单位:元)
| 季度 |
营业收入 |
归属于上市公司股东的净利润 |
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 |
经营活动产生的现金流量净额 |
| 第一季度 |
38,386,992.04 |
2,439,410.75 |
626.13 |
-40,212,773.34 |
| 第二季度 |
75,973,491.40 |
12,648,257.81 |
8,010,948.64 |
-38,203,334.57 |
| 第三季度 |
125,383,199.61 |
28,316,791.35 |
18,675,329.90 |
4,805,723.04 |
| 第四季度 |
165,827,089.50 |
27,613,052.07 |
15,704,080.75 |
-18,079,421.54 |
非经常性损益
- 非经常性损益总额:28,626,526.56元
- 主要项目:
- 政府补助:7,134,131.31元
- 委托他人投资或管理资产的损益:26,712,477.25元
- 其他营业外收入和支出:149,646.13元
- 减:所得税影响额:5,490,214.84元
主要业务与经营模式
主要产品
- 半导体级单晶硅炉:包括SCG200、SCG300、SCG400系列,应用于8-12英寸硅片制造,可满足28nm以上芯片制造需求。
- 碳化硅单晶炉:包括JSSD、SCET420、SCMP、SCR950、SCMP/LP系列,适用于6-8英寸碳化硅衬底制备,满足功率器件、射频器件等应用需求。
- 其他设备:如碳化硅原料合成炉、氮化铝原料提纯炉、集成电路刻蚀用硅材料长晶炉、自动化拉晶控制系统(软硬件)、光伏级单晶硅炉等。
主要经营模式
- 盈利模式:提供晶体生长设备、配件及技术服务,实现收入与利润。
- 研发模式:自主研发,以专利和技术秘密保护核心技术。
- 采购模式:定制化零部件由第三方供应商生产,标准件面向市场采购。
- 生产模式:以订单式生产为主,辅以库存式生产。
- 销售模式:采用直销模式,配备专业销售与服务团队,与客户进行技术方案对接与合同签订。
行业情况与市场地位
所属行业
- 行业分类:专用设备制造业(C3562);半导体器件专用设备制造。
- 行业地位:
- 公司是国内碳化硅单晶炉主要厂商之一,具备国内领先的产业技术能力。
- 在半导体级单晶硅炉领域,公司处于国内领先地位,已实现12英寸单晶硅炉国产化。
- 公司产品在晶体生长控制指标、良率、量产经验等方面具备显著优势。
行业发展趋势
- 半导体行业:技术难度高、更新迭代快,下游应用广泛,2024年预计增长15%,2030年有望突破1万亿美元。
- 碳化硅行业:作为第三代半导体材料,碳化硅器件具备耐高压、低损耗、高频等优势,广泛应用于新能源汽车、光伏、5G通信等领域。
- 市场前景:随着新能源汽车800V平台发展,碳化硅衬底向8英寸升级趋势明显,国内厂商面临重要机遇。
技术研发与成果
核心技术
- 晶体生长设备建模与仿真技术:实现多场耦合仿真,缩短设备开发周期。
- 热场设计与模拟技术:采用3D模拟技术,优化热场系统,提高晶体品质。
- 晶体生长设备设计技术:涵盖自动控制、腔室冷却、运动控制系统、真空密封等。
- 基于视觉图像的控制技术:实现晶体形貌检测、直径控制、液面距测量等。
- 晶体自动化控制系统及数据采集分析技术:具备百万级数据处理能力,提升智能化水平。
- 半导体晶体生长工艺开发技术:优化工艺参数,提高晶体生长质量与效率。
- 低速超高精度传动机构设计技术:提升晶体生长稳定性。
- 气路系统优化设计技术:优化气流路径,抑制杂质含量。
研发成果
- 专利情况:截至2023年底,公司及子公司累计获得国内专利87项,其中发明专利34项,实用新型专利53项。
- 新增授权专利:12项,包括发明专利4项,实用新型专利5项。
- 软件著作权:4项。
- 其他知识产权:包括1个境外专利和9个商标权。
公司治理与风险提示
- 审计报告:容诚会计师事务所出具标准无保留意见。
- 董事会与监事会:全体董事出席董事会会议,公司治理结构健全。
- 风险提示:公司已在“第三节 管理层讨论与分析”中披露了可能存在的风险,包括市场风险、技术风险、经营风险等。
- 利润分配预案:拟每10股派2.00元现金红利,总额约2761万元,需经股东大会批准后实施。
其他重要信息
- 公司治理特殊安排:无。
- 前瞻性陈述:公司未来计划、发展战略为前瞻性描述,不构成实质承诺。
- 控股股东与实际控制人:均为李辉。
- 保荐机构:华泰联合证券有限责任公司,持续督导期为2023年4月24日至2026年12月31日。
- 行业认证:公司产品已通过新能源汽车、光伏、工业等领域的认证,并实现量产。
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