20211212-天风证券-半导体行业研究周报_碳化硅蓄势待发_国内产业链持续突破_10页_1017kb

半导体行业总结

核心内容

本报告分析了2021年12月12日半导体行业的市场表现及碳化硅（SiC）技术的发展趋势。重点指出，碳化硅作为第三代半导体材料，在高频、高压、高温等性能方面相较于传统硅（Si）材料具有显著优势，尤其在功率器件领域表现突出。同时，国内半导体产业链正在逐步建立，并在技术突破方面取得进展，有望在未来实现正向循环。

主要观点

• 碳化硅材料优势：SiC具有较高的击穿场强、热导率和较低的导通电阻，使其在高功率、高频应用中具备更高的效率和更低的热耗散。
• SiC器件与Si器件对比：SiC MOSFET相比Si IGBT具有更高的开关频率和更低的导通电阻，但其制造成本较高，商业化进程仍需时间。
• SiC产业链布局：SiC产业链包括衬底、外延、器件、模组等环节，其中衬底和外延成本占比最高（约50%和25%），因此技术突破集中在这些环节。
• 国内发展现状：国内企业如山东天岳、北京天科合达、河北同光晶体等已开发出6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底，同时多家企业已布局SiC功率器件产品。
• 行业表现：本周申万半导体行业指数下跌3.56%，显著跑输主要指数，如创业板指数（-0.34%）、上证综指（+1.63%）等。

关键信息

碳化硅技术优势

• 物理特性：SiC具有更宽的禁带宽度（3.3eV），比Si（1.1eV）高，同时具备更高的电子迁移率和热导率。
• 器件性能：SiC MOSFET可在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时实现高频率开关，提升系统效率和功率密度。
• 应用场景：SiC MOSFET适用于PFC电源、光伏逆变器、电动汽车（EV/HEV）的直流/直流转换器、牵引逆变器等。

国内产业链进展

• 衬底技术：国内企业已实现6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底的开发。
• 产业链布局：包括天科合达、山东天岳、同光晶体等企业已形成自主技术体系，斯达半导、华润微等也在SiC功率器件领域有所布局。
• 设备与材料：部分本土企业已开始建设SiC器件生产线，推动国内产业链的完善。

本周行情回顾

• 整体表现：申万半导体行业指数下跌3.56%，显著跑输主要指数。
• 细分板块：半导体材料、分立器件、IC设计、封测等板块整体下跌，而半导体制造板块微涨0.3%。
• 涨跌幅前10个股：
  • 涨幅前10：晶丰明源（+18.7%）、芯海科技（+8.7%）、国民技术（+8.5%）、寒武纪-U（+8.5%）、芯原股份-U（+5.6%）等。
  • 跌幅前10：新洁能（-13.1%）、芯导科技（-12.5%）、斯达半导（-11.2%）、晶方科技（-11.1%）等。

重点公司公告

• 新洁能：发布2021年限制性股票激励计划，拟授予141.68万股限制性股票。
• 台基股份：发布限制性股票激励计划，拟授予250.40万股限制性股票。
• 复旦微电：发布限制性股票首次授予公告，授予893.40万股。
• 睿创微纳：完成对无锡华测电子系统有限公司56.253%股权的工商变更。

风险提示

• 疫情恶化：可能对供应链和市场需求造成影响。
• 贸易战影响：可能对出口和国际竞争产生压力。
• 需求不及预期：若市场需求增长放缓，可能影响行业整体表现。

投资建议

• 行业评级：强于大市（维持评级）。
• 建议关注企业：
  • 半导体设计：圣邦股份、思瑞浦、澜起科技、晶晨股份、瑞芯微、中颖电子、斯达半导、宏微科技、新洁能、全志科技、恒玄科技、富瀚微、兆易创新、韦尔股份、卓胜微、晶丰明源、芯朋微、紫光国微、上海复旦。
  • IDM：闻泰科技、三安光电、时代电气、士兰微。
  • 晶圆代工：中芯国际、华虹半导体。
  • 半导体设备材料：北方华创、雅克科技、上海新阳、中微公司、精测电子、华峰测控、长川科技、有研新材、江化微。

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