新材料行业半导体材料系列之五：技术壁垒高企，IC光刻胶国产化静待曙光-200420_23页__1mb

报告摘要

技术壁垒高企，IC光刻胶国产化静待曙光

核心内容

光刻胶是集成电路制造中的关键材料，具有极高的技术壁垒，涉及光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等多领域技术。随着半导体产业向高端发展，光刻胶的技术要求也不断提高，包括更高的分辨率、更强的感光速度、更宽的工艺窗口和更强的抗刻蚀能力。

主要观点

全球光刻胶市场由日本、美国、韩国企业主导，市场集中度高，技术优势明显。
2018年全球光刻胶市场规模约为123亿元人民币，预计至2023年将增长至178亿元，其中我国光刻胶市场规模预计达43亿元。
我国在低端光刻胶领域已实现自给，但在高端产品（如KrF、ArF光刻胶）方面仍高度依赖进口，国产化率提升空间巨大。
国内企业如晶瑞股份、上海新阳、南大光电等正在积极研发高端光刻胶，以突破技术壁垒，实现国产替代。

关键信息

光刻胶组成：包括树脂、溶剂、光引发剂、添加剂等。
光刻胶分类：按曝光波长可分为紫外、深紫外、电子束、离子束、X射线光刻胶；按极性可分为正性与负性光刻胶。
主要应用领域：
- g线光刻胶（436nm）：分辨率0.5μm，用于6英寸晶圆制造。
- i线光刻胶（365nm）：分辨率0.35μm，用于6英寸晶圆制造。
- KrF光刻胶（248nm）：用于0.25~0.13μm芯片制造，依赖进口。
- ArF光刻胶（193nm）：用于0.1~0.06μm芯片制造，依赖进口。
- EUV光刻胶（13.5nm）：用于0.014~0.007μm芯片制造，技术壁垒极高。
光刻工艺流程：包括表面准备、涂胶、软烘焙、对准与曝光、显影、硬烘焙、刻蚀、光刻胶去除、最终检查等。
市场扩容驱动因素：
- 制程进步：如FinFET技术发展，从28nm到7nm，光刻胶性能需求同步提升。
- 堆叠层数增加：3D NAND Flash从32层发展至140层以上，光刻胶用量显著增加。
国内光刻胶发展现状：
- g线、i线光刻胶已实现自给。
- KrF、ArF光刻胶依赖进口，国内企业正在积极研发突破。
重点公司：
- 晶瑞股份：i线光刻胶国产化先驱，已实现0.35μm分辨率，正推进KrF光刻胶产业化。
- 上海新阳：在ArF干式光刻胶和KrF光刻胶方面开展研发，目标填补国内空白。
- 南大光电：承担国家02专项，布局ArF光刻胶，已建成ArF光刻胶生产线，正推进产业化。