存储代工模式迎来产业变革机会_10页_1mb

电子行业总结

核心内容

存储技术升级与双晶圆堆叠架构

存储技术正在向双晶圆堆叠架构（存储晶圆 + 逻辑晶圆）演进，通过异构集成技术，实现系统性能、面积、成本和上市时间的优化。主要技术包括：

• Xtacking技术：由国内长江存储开发，将存储单元与逻辑电路分离制造，再通过混合键合技术集成，显著提升了NAND产品的I/O速度、存储密度和可靠性。自2018年发布以来，NAND的IO接口速度从800MT/s提升至3.6GT/s，增长超过4倍。
• BiCS技术：海外厂商采用，同样实现了存储阵列和逻辑电路的分立加工与集成，具有优异的性能表现。
• CBA技术：在DRAM领域，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造，再通过熔融键合或混合键合工艺集成，以提高存储单元密度和系统整体性能。三星和SK海力士正在研发新一代DRAM产品，计划采用CBA技术。

逻辑晶圆代工模式的发展

随着存储技术的升级，逻辑晶圆的制造有望从IDM模式转向代工模式，从而利用更先进的逻辑工艺（如HKMG、FinFET）提升系统级性能。例如，三星在第10代V-NAND中采用逻辑工艺制造外围电路，而SK海力士从HBM4产品开始考虑使用台积电的先进逻辑工艺。

AI驱动存储行业景气上行

AI推理等应用的持续扩张显著提升了存储行业的景气度，推动了存储制造端的产能扩张和技术升级。存储代工模式作为未来新兴模式之一，有望快速落地并加速发展，提升半导体产品的性能、面积、成本和上市时间。相关配套产业链也将因此受益。

主要观点

• 存储技术正逐步向双晶圆堆叠架构发展，Xtacking和CBA技术在3D NAND和DRAM中均有显著应用。
• 逻辑晶圆代工模式的引入有助于实现更优的工艺匹配，推动系统级性能提升。
• AI应用的推动使得存储行业进入景气周期，存储代工模式具备广阔的市场前景。
• 未来，国内有望依托丰富的逻辑代工资源，推动存储IDM与逻辑代工的协同发展。

关键信息

• 技术路线：3D NAND采用Xtacking和BiCS技术，DRAM采用CBA技术。
• 性能提升：长江存储的Xtacking技术使NAND的IO接口速度提升超过4倍。
• 代工模式：逻辑晶圆可引入代工模式，以HKMG、FinFET等先进工艺优化系统性能。
• AI影响：AI推理等应用需求推动存储行业景气度上升，促进存储代工模式的发展。
• 投资建议：关注晶圆代工和上游半导体设备等相关公司。
• 风险提示：包括市场需求不及预期、技术研发不及预期、客户开拓不及预期。

重点公司估值与财务分析

相关研究

• 海外存储原厂2025Q3总结：供需趋紧带动价格上涨，原厂营收与利润持续向上。
• 电子行业2025年三季报总结：AI驱动景气持续上行，营收与利润同环比向上。
• AI的进击时刻22：MRDIMM和CXL增加AI服务器内存。

风险提示

1. 市场需求不及预期：若电子产品市场需求不及预期，可能影响相关公司销售和经营表现。
2. 技术研发不及预期：高技术壁垒和研发投入大，若新技术研发进度不及预期，可能影响公司业绩。
3. 客户开拓不及预期：若与主要客户的合作或产品产业化进度不及预期，可能对公司经营造成不利影响。

研究团队

• 耿正：上海交通大学材料科学与工程学硕士，2020年加入广发证券发展研究中心。
• 王亮：复旦大学经济学硕士，2014年加入广发证券发展研究中心。
• 谢淑颖：厦门大学电子工程学士、上海财经大学金融硕士，2018年加入广发证券发展研究中心。
• 焦鼎：中国科学院大学博士，2022年加入广发证券发展研究中心。
• 张大伟：复旦大学电子与通信工程硕士，2021年加入广发证券发展研究中心。
• 王钰乔：上海交通大学硕士，2022年加入广发证券发展研究中心。
• 李佳蔚：京都大学硕士，2022年加入广发证券发展研究中心。
• 刘倚天：复旦大学硕士，2025年加入广发证券发展研究中心。

投资评级说明

• 行业投资评级：

  • 买入：预期未来12个月内，股价表现强于大盘10%以上。
  • 持有：预期未来12个月内，股价相对大盘变动介于-10%～+10%。
  • 卖出：预期未来12个月内，股价表现弱于大盘10%以上。

• 公司投资评级：

  • 买入：预期未来12个月内，股价表现强于大盘15%以上。
  • 增持：预期未来12个月内，股价表现强于大盘5%～15%。
  • 持有：预期未来12个月内，股价相对大盘变动介于-5%～+5%。
  • 卖出：预期未来12个月内，股价表现弱于大盘5%以上。

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