2021年功率半导体有望迎来景气周期_27页_3mb

创新技术与企业服务研究中心：电子行业研究总结

核心内容

本报告聚焦于功率半导体行业，重点分析了2021年功率半导体可能迎来的高景气周期，以及IGBT和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料在新能源汽车、工业控制、光伏风电、变频家电等领域的应用前景。报告同时指出，中国是全球最大的功率半导体市场，但整体自给率较低，国产替代空间巨大。此外，报告推荐了斯达半导、华虹半导体、华润微、士兰微、新洁能等国内龙头企业，并提出了相应的风险提示。

主要观点

1. 2021年功率半导体迎来高景气周期

• 需求增长：2020年受5G、电动汽车、工业设备等需求拉动，功率半导体需求明显上升，部分产品出现缺货涨价。
• 涨价趋势：MOSFET产品在2020年底普遍涨价10%-20%，英飞凌、意法半导体、Diodes、安森美等国际大厂交货期延长，部分产品出现短缺。
• 产能瓶颈：8英寸晶圆产能不足，导致部分产品出现缺货，影响市场供给。
• 行业预期：预计2021年功率半导体行业将进入高景气周期，产业链整体受益。

2. IGBT发展前景广阔

• IGBT的重要性：IGBT是功率半导体中的“皇冠上的明珠”，适用于高压、大电流、高速等场景，是电力电子装置和系统中的核心器件。
• 新能源汽车驱动：新能源汽车的快速发展是IGBT模块增长的主要驱动力，预计2018-2023年复合年增长率达23.5%。
• 市场格局：2019年英飞凌、意法半导体、斯达半导体、比亚迪等占据主要市场份额，英飞凌市占率高达49.3%，斯达半导体为16.6%。
• 国产替代：中国IGBT自给率不断提升，从2015年的10.1%增长至2020年的18.4%，预计2024年将达40%。

3. 碳化硅（SiC）迎来发展新机遇

• 性能优势：SiC器件具有更高的击穿场强、更低的导通损耗、更高的热导率、更高的电子饱和速度等，适合高温、高频、大功率应用场景。
• 应用前景：Model 3、比亚迪汉、丰田Mirai等车型已采用SiC MOSFET模块，提升加速性能、功率及续航能力。
• 市场规模预测：2027年碳化硅功率器件市场规模将超过100亿美元，SiC MOSFET将成为最畅销的分立SiC器件。

4. 国内企业快速成长

• 市场地位：中国是全球最大的功率半导体消费国，占全球市场35.9%，但高端产品依赖进口。
• 企业进展：斯达半导体、华润微、士兰微、新洁能等企业在IGBT、MOSFET等细分领域取得突破，成为行业龙头。
• 产业链发展：国内功率半导体产业链逐步完善，部分企业已具备中高端产品生产能力。

关键信息

市场数据

• 全球功率半导体2019-2025年均增长率预计为4.3%
• 2019年全球功率半导体市场规模为175亿美元，预计2025年达225亿美元
• 2019年全球IGBT模组市场规模为37亿美元，预计2025年达54亿美元，占全球功率半导体市场24%
• 中国功率半导体市场占全球35.9%，但高端产品依赖进口

投资建议

• 推荐企业：斯达半导体、华虹半导体、华润微、士兰微、新洁能
• 行业评级：买入（维持评级）
• 风险提示：电动汽车发展不达预期、智能手机销量不达预期、5G进度低于预期、功率半导体技术突破难度大、国内企业竞争激烈

行业与技术趋势

• 技术演进：IGBT经历了六代技术改进，主要趋势是降低损耗。
• 应用扩展：IGBT广泛应用于工业控制、新能源发电、变频家电、电动汽车等。
• SiC发展：SiC在电动汽车、白色家电、新能源等领域具有广泛应用前景，预计2027年市场规模将超百亿美元。
• 国产替代：随着国内企业在IGBT、MOSFET等领域的技术突破，国产替代空间巨大。

总结

功率半导体行业在多重需求推动下迎来高景气周期，尤其是新能源汽车、工业控制、光伏风电、变频家电等领域的快速增长。IGBT作为核心器件，具有广泛的应用前景和较高的市场价值。与此同时，碳化硅等第三代半导体材料因其优异性能，在电动汽车等领域大显身手。中国虽为全球最大功率半导体消费国，但高端产品仍依赖进口，国产替代空间巨大。报告看好国内功率半导体细分龙头，建议关注斯达半导体、华虹半导体、华润微、士兰微、新洁能等企业。