存储行业：周期上行与国产化双重大机遇_32页_2mb

报告摘要

存储行业深度报告总结

核心内容

存储行业正迎来周期上行与国产化双重机遇。随着海外大厂减产与涨价，存储价格指数触底反弹，国内存储厂商在AI需求和国产化政策的推动下，有望实现收入和业绩的快速增长。此外，AI+浪潮正推动消费电子与服务器市场对存储产品的需求提升，新型存储技术如HBF、CXL等也在加速发展。

主要观点

存储价格指数触底反弹：
- DRAM和NAND价格指数自2023年9月触底后进入上行通道，2024年第四季度开始震荡下行，2025年3月中旬触底反弹。
- NAND Wafer价格从2.40美元上涨至2.75美元，涨幅14.5%；现货LASH颗粒从9.8美元上涨至10.52美元，涨幅7%。
- SSD和eMMC模组价格也从3月开始逐步上涨，SSD模组涨幅13.3%，eMMC模组涨幅6.25%。
- DRAM颗粒价格从2.93美元上涨至4.11美元，涨幅40%。利基存储如SLC NAND和利基DRAM也逐步上涨，涨幅分别为29%和23.7%。
海外大厂持续减产，多厂商宣布涨价：
- 自2024年Q4以来，海外大厂如美光、三星、SK海力士、铠侠等陆续宣布减产控产，产能减少幅度在10%-15%之间。
- 闪迪、长江存储、美光等厂商自2025年3月起宣布涨价，涨幅超过10%，并预计后续仍有涨幅。
国内存储厂商迎来双重机遇：
- 存储IC设计公司：兆易创新、普冉股份、聚辰股份、北京君正等公司，受益于AI需求和海外大厂退出利基市场，实现收入和业绩的稳步增长。
- 存储模组厂商：德明利、佰维存储、江波龙等公司，收入规模快速增长，2024年相比2023年，德明利增长250%，佰维存储近翻倍，江波龙增长75%。2024年业绩由负转正，受益于周期上行和国产化机遇。
AI+全面爆发推动存储需求增长：
- AI对存储产品提出了高性能、小型化、低功耗的要求，推动了端侧存储技术的创新。
- 佰维存储推出ePOP芯片和Mini SSD，美光推出LPDDR5X，均在高带宽、低功耗、小尺寸方面取得突破。
- AI服务器需求增长，阿里、腾讯等云商资本开支大幅增加，国内模组厂有望充分受益。
新型存储技术加速发展：
- HBF（High Bandwidth Flash）作为新型存储技术，结合了HBM的高带宽和3D NAND的大容量特性，具有容量密度高、带宽匹配AI场景、成本低廉等优势。
- HBF在单GPU集成8堆栈的情况下可实现4TB容量，满足大模型驻留需求，单位成本仅为HBM的5%。
- 国内厂商如长江存储、联芯科技等在HBF技术上取得突破，有望实现弯道超车。