电子行业：射频前端行业深度报告，5G发展正当时，射频前端方兴未艾-20200618-新时代证券-41页_3mb

5G发展正当时，射频前端方兴未艾

核心内容

射频前端芯片作为无线通信的核心组件，在5G技术推动下迎来技术革新和市场爆发。随着5G的高频特性、大规模天线阵列和万物互联需求的提升，射频前端芯片的应用场景和市场需求不断扩展。同时，受贸易摩擦和美国对大陆科技公司技术管制的影响，射频前端产业链国产化进程加速，国内企业迎来发展机遇。

主要观点

• 5G推动射频芯片升级：5G网络的高频特性、更高的通信速率和更大的容量需求，对射频芯片提出了更高要求，推动新材料（如GaN、SiC）和新工艺（如RF-SOI、RF MEMS）的广泛应用。
• 射频前端需求激增：5G手机和基站对射频芯片的需求显著提升。5G手机频段数增加至50个，射频前端单机价值量从4G的16-20美元提升至25-40美元；5G基站由4T4R升级至64T64R，单基站PA数量增加16倍，带来巨大的市场空间。
• 国产化趋势显著：目前射频前端市场被海外厂商主导，但国内企业在技术突破和政策支持下逐步崛起，如卓胜微、三安光电、长电科技等企业已具备一定竞争力。
• 射频前端技术壁垒高：射频前端芯片技术涉及设计、工艺、材料等多个环节，且更新速度快，海外厂商凭借技术积累和专利布局长期领先，国内企业需持续投入研发以提升竞争力。

关键信息

5G对射频前端的影响

• 5G手机将集成50个频段，需80个滤波器和15个开关，单机价值量达25-40美元。
• 5G基站采用64T64R大规模天线阵列，每基站PA数量达192个，相较4G增长16倍。
• 5G推动射频芯片向集成化、模块化发展，SiP封装成为主流，有助于降低成本和提升性能。

射频前端市场增长预测

• 全球射频前端市场规模预计从2018年的150亿美元增长至2025年的258亿美元，年复合增长率约8%。
• 射频前端模组SiP市场预计2018-2023年复合增长率达11.3%，2023年市场规模将达53亿美元。
• 5G宏基站PA市场预计2025年将达到256亿元，其中GaN PA将成为主流。

国内企业进展

• 卓胜微：国内射频开关领先厂商，市场份额达10%，进入全球前五。
• 三安光电：在GaAs和GaN芯片制造领域实现突破，已与行业标杆企业合作。
• 长电科技：国内领先SIP封装厂，占据封测行业龙头地位。
• 麦捷科技：国内优秀射频器件提供商，在滤波器领域具备竞争力。
• 信维通信、东山精密：通过战略投资布局射频前端产业，为本土射频赛道提供支持。

海外厂商主导市场

• 射频PA市场由Skyworks、Qorvo、博通、村田四家公司占据90%以上市场份额。
• 滤波器市场中，SAW由日本厂商（如村田、TDK）主导，BAW市场由美国厂商（如Avago）主导。
• 射频开关市场由Skyworks、Qorvo、Murata、Broadcom等海外公司主导，占据80%以上市场份额。

投资建议

• 受益标的：卓胜微、三安光电、长电科技、麦捷科技、信维通信、东山精密。
• 行业趋势：5G推动射频前端市场增长，国内企业具备成长潜力。
• 风险提示：5G建设不及预期、技术研发滞后、下游需求波动、宏观不确定性事件等。

重点公司财务及估值（截至2020年6月18日）

行业趋势与技术方向

• 射频前端技术发展路径包括新材料（如GaN、SiC）、新工艺（如RF-SOI、RF MEMS）和新封装（如晶圆级封装）。
• 射频前端市场将向集成化、模块化发展，推动SiP封装技术广泛应用。
• IoT设备的射频芯片需求将因5G技术而大幅提升，NB-IoT、eMTC等技术将推动射频芯片向低功耗、低成本方向演进。

射频前端产业链

• 芯片设计：海外厂商（如Skyworks、Qorvo、Avago）主导市场，国内企业（如卓胜微、三安光电）逐步崛起。
• 晶圆制造：GaAs衬底和外延片由海外厂商主导，但国内企业（如三安光电、台湾稳懋）正在加速发展。
• 封测：国内封测龙头（如长电科技）在5G时代将受益于市场增长。

射频前端应用场景

• 手机端：射频前端芯片负责信号收发、频率合成、功率放大等，是手机通信系统的核心。
• 基站端：5G基站引入大规模天线阵列，对射频PA、滤波器等器件需求大幅增加。
• IoT领域：NB-IoT等技术推动射频芯片向低功耗、低成本方向发展，未来将成为重要增长点。

射频前端技术演进

• 从2G到5G，射频前端芯片价值量显著提升，从0.8美元增长至25-40美元。
• 射频前端模组从分立器件向集成化发展，SiP封装技术成为主流。
• GaAs和GaN材料在5G时代成为重要应用，其中GaN因高性能和高功率被广泛采用。

射频前端市场预测

• 全球射频前端市场：预计从2018年的150亿美元增长至2025年的258亿美元，年复合增长率8%。
• 全球射频前端模组SiP市场：预计2018-2023年复合增长率11.3%，2023年市场规模达53亿美元。
• 5G宏基站PA市场：预计到2025年将达到256亿元，其中GaN PA将逐步取代LDMOS。
• 5G基站滤波器市场：预计到2025年将达到256亿元，陶瓷介质滤波器将成为主流。

射频前端技术与材料

• 射频芯片材料：GaAs和GaN在5G时代成为主流，其中GaN-on-SiC具有更高的导热性能，适合高功率应用。
• 射频前端工艺：包括RF CMOS、SOI、GaAs、GaN、MEMS等，不同工艺适用于不同应用场景。
• 射频前端器件：包括功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、滤波器（Filter）等，这些器件在5G时代需求激增。

射频前端发展趋势

• 集成化：射频前端模组集成度提高，如PAMiD、MMPA等复合功能PA芯片。
• 模块化：射频前端向模块化方向发展，有助于降低系统复杂度和成本。
• 国产化：受贸易摩擦和政策支持影响，国内射频前端企业迎来发展机遇，逐步实现技术突破和市场突破。

射频前端技术壁垒与挑战

• 射频前端技术涉及设计、工艺、材料等多个环节，技术壁垒较高。
• 海外厂商在专利布局、技术积累和市场占有率方面具有明显优势。
• 国内企业在射频前端领域仍需持续投入研发，以提升竞争力。

射频前端市场格局

• 全球市场格局：海外厂商占据主导地位，但国内企业正在快速崛起。
• 市场集中度：射频PA市场由Skyworks、Qorvo、博通、村田四家公司主导，合计市场份额达90%以上。
• 专利布局：GaN领域专利主要由欧美和日本厂商主导，国内企业也在积极布局。

射频前端未来展望

• 5G将推动射频前端芯片需求激增，带动全球射频前端市场规模快速扩张。
• 国内企业有望在射频前端领域实现突破，特别是在GaAs和GaN制造及封装环节。
• 射频前端行业将经历从分立器件向集成化、模块化、SiP封装的转型。