半导体深度系列:化合物:5G+电动车驱动产业高速发展_26页_3mb
报告摘要
化合物半导体深度分析:5G与汽车电气化驱动市场增长
核心内容概述
化合物半导体主要包含砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等材料,具有优异的高频、高温性能,是第二、第三代半导体的代表。相比第一代单质半导体(如硅),化合物半导体在高频、高温、大功率等应用场景中更具优势,成为射频、功率和光电子等领域的核心材料。
主要观点与关键信息
化合物半导体特性与应用
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砷化镓(GaAs):
- 具有高频、抗辐射、耐高温特性。
- 主要用于无线通信、光通信和国防军工领域。
- 成为功率放大器(PA)和射频开关(Switch)的主流材料。
- 2017年全球GaAs器件市场规模约80-90亿美元,预计2023年将超过100亿美元。
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氮化镓(GaN):
- 具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率等优点。
- 主要用于射频器件、功率器件和军工领域。
- 在5G时代,因其高效率和高功率密度,有望替代LDMOS,占据射频器件市场约50%份额。
- 2018年氮化镓射频器件市场规模不足2亿美元,预计2023年将增长至13亿美元。
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碳化硅(SiC):
- 主要用于大功率高频功率器件,如二极管、MOSFET和IGBT。
- 在新能源汽车、工业电力电子等领域具有显著优势。
- IHS预测到2025年SiC功率半导体市场规模有望达到30亿美元。
- 当前SiC器件因成本较高,尚未大规模应用,但产业化进度正在加速。
行业发展趋势
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5G提速推动射频市场增长:
- 海外5G商用加速,预计2020年国内也将加速推进。
- 5G基站建设将带动射频器件需求增长,预计2023年基站端氮化镓市场规模将超5亿美元。
- 射频器件市场整体复合增速达23%,预计2023年市场规模有望达13亿美元。
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汽车电气化推动碳化硅市场成长:
- 汽车IC市场快速增长,预计2021年市场规模将达436亿美元,复合增长率12.5%。
- 模拟IC在汽车领域增长强劲,2018年市场规模可达102亿美元。
- 新能源汽车的普及将显著提升对碳化硅器件的需求,预计2025年碳化硅功率半导体市场规模将达73亿美元。
技术与市场结构
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制造工艺:
- 模拟IC的制造工艺包括Bipolar、CMOS和BiCMOS,以及SiGe、GaAs、SOI等。
- GaAs和GaN器件以0.13~0.18μm工艺为主,部分厂商正在研发更先进的工艺。
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市场结构:
- 射频器件市场中,LDMOS、GaAs和GaN三者占比相近,但氮化镓有望在未来占据主导地位。
- 碳化硅市场中,功率分立器件和晶圆市场由CREE等公司主导,市场份额领先。
相关标的推荐
三安光电
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公司定位:
- 中国LED芯片国际龙头,布局III-V族化合物半导体。
- 已完成6英寸碳化硅晶圆制造流程,具备全工艺平台能力。
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主要业务:
- 高端氮化镓LED衬底、外延、芯片研发与制造。
- 高端砷化镓LED外延、芯片研发与制造。
- 大功率氮化镓激光器、光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体等。
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未来发展:
- 未来将重点发展III-V族化合物半导体,目标是成为全球领先的化合物半导体制造商。
- 投资总额333亿元,计划五年内实现投产,七年内达产。
CREE
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公司定位:
- 全球LED外延、芯片、封装、照明解决方案、化合物半导体材料和功率器件的领先制造商。
- Wolfspeed业务专注于碳化硅与氮化镓,是其增长引擎。
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主要业务:
- 碳化硅材料、射频器件、功率器件。
- 下游包括电动车、通讯、工业、国防、航天航空等领域。
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市场表现:
- 2017年碳化硅功率、氮化镓射频、碳化硅材料市场合计7.42亿美元。
- 2022年可服务市场规模预计达73.22亿美元,5年增长近10倍。
- 在碳化硅功率分立器件和晶圆市场中占据领先地位,2017年市场份额分别为26%和52%。
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战略调整:
- 2019年出售照明业务部门,以增强Wolfspeed业务的资本支持。
- 未来将继续聚焦碳化硅和氮化镓,提升在这些领域的竞争力。
风险提示
- 下游需求不及预期:化合物半导体应用广泛,若下游需求出现波动,可能影响市场增长。
- 5G进展不及预期:射频器件市场高度依赖5G基础设施建设,若进展不及预期,可能影响相关市场。
- 汽车电气化进展不及预期:功率器件市场依赖新能源汽车的发展,若进展不及预期,可能影响碳化硅市场。
投资建议
- 投资评级:增持(首次)
- 行业走势:5G与汽车电气化推动化合物半导体市场高速增长,建议重点关注相关企业。
总结
化合物半导体在5G和汽车电气化的双重驱动下,市场前景广阔。砷化镓、氮化镓和碳化硅分别在射频、功率和光电子领域占据重要地位,且随着技术进步和成本下降,未来市场增长潜力巨大。三安光电和CREE作为核心企业,具备技术优势和市场潜力,值得重点关注。
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