2025-08-29-上交所科创板-苏州锴威特半导体股份有限公司2025年半年度报告页_198页_1mb

报告摘要

苏州锴威特半导体股份有限公司（股票代码：688693）是一家专注于功率半导体设计、研发和销售的高新技术企业，同时也提供相关技术服务。公司2025年半年度报告中披露了其经营状况、财务数据、研发进展及面临的风险与挑战。

主营业务：公司主要业务为功率半导体的设计、研发和销售，产品涵盖功率器件（如MOSFET、SiCMOSFET）及功率IC（如PWM控制IC、栅极驱动IC等）。
经营模式：公司采用Fabless模式，专注于设计、研发和销售，将晶圆制造、封装测试等环节委外。
市场拓展：公司积极布局高可靠、新能源、智能电网等领域，已与超过600家客户合作，产品线覆盖广泛。
研发投入：公司持续加大研发投入，2025年上半年研发费用达3,525.50万元，同比增长41.13%。
产品结构优化：通过改变产品结构，公司实现了营业收入的大幅增长，同比增长92.66%。
技术优势：公司拥有多项核心技术，包括高压MOSFET、SiC MOSFET、理想二极管控制等，部分技术达到国际先进水平。
知识产权：截至2025年6月30日，公司累计获得授权专利144项，集成电路布图设计专有权122项。
风险提示：公司面临业绩亏损、核心技术泄密、晶圆委外加工、供应商集中度高、技术人员流失、财务风险（如收入增长不可持续、毛利率下降、存货滞销、应收账款增加、期间费用增加）以及行业和宏观环境风险（如技术迭代、市场竞争、国际贸易摩擦、产业政策变化）。

功率器件：公司开发了40V-1700V平面MOSFET、1200V及更高电压等级的SiC MOSFET，同时完善了沟槽MOSFET及SGT MOSFET工艺平台。
功率IC：公司推出了PWM控制IC、栅极驱动IC、理想二极管控制IC、浪涌抑制控制IC等产品，部分产品已通过AEC-Q100车规级认证。
技术平台：基于0.5um SOI BCD工艺和0.18um BCD工艺，公司构建了多个功率IC设计平台。
新产品开发：公司持续推进研发多个项目，包括平面MOSFET、SiC MOSFET、隔离芯片、POE协议芯片等。