深度报告-20230411-国盛证券-电子行业深度_AI革命_存储篇_算力拉动_拐点提前_55页_2mb
报告摘要
电子行业存储领域分析总结
核心内容
本文聚焦于“AI革命”背景下存储行业的变化与发展趋势,分析了AI对算力和存力硬件需求的推动,以及存储行业当前面临的周期性挑战和未来修复预期。同时,文章探讨了存储技术的创新,如HBM、存算一体、3D NAND等,并对部分国内存储产业链公司进行了重点分析。
主要观点
AI推动存储需求增长
- 算力需求激增:ChatGPT的训练需求大幅提升了算力需求,如训练GPT-3需8张V100显卡36年,而1024张A100显卡只需1个月。
- 数据传输需求增加:大模型训练需海量数据传输,对服务器交换机、高算力芯片等设备带来增量需求。
- 存储芯片用量上升:AI服务器中DRAM用量为普通服务器的8倍,NAND为3倍,成为算力数据迭代运算的重要基础。
- 存储技术快速演进:HBM、存算一体、3D NAND等技术成为AI服务器和存储行业发展的关键方向。
存储行业周期性特征显著
- DRAM强周期属性:全球DRAM市场占比达53%,价格波动剧烈,周期性明显,行业经历多次“需求-供不应求-价格上涨-产能扩张-供给过剩-价格下跌”的循环。
- 价格持续下行:2022年全球DRAM市场规模达758亿美元,CAGR为8.9%,但DDR4和DDR5价格持续下跌,部分产品价格跌幅超过20%。
- 库存压力:美光2023年Q2库存为81.29亿美元,同比下降2.75%,行业库存仍有改善空间。
NAND Flash市场前景广阔
- 市场规模增长:预计2025年全球NAND Flash市场规模将达到931.9亿美元,CAGR为7.4%。
- 技术迭代:3D NAND成为主流方向,突破容量瓶颈,解决2D NAND容量提升带来的性能下降问题。
- 应用广泛:NAND Flash广泛应用于智能手机、PC、服务器和汽车等领域,具备规模化、标准化生产优势。
国产化替代加速
- 海外龙头减产:美光、三星、海力士等公司已启动DRAM减产计划,以缓解市场供需失衡。
- 国产产业链布局:国内存储产业链加速发展,2023年有望完成产品结构快速升级,降低对外部企业的依赖。
- 政策支持:中国对美光在华销售进行安全审查,推动国产替代进程。
关键信息
AI对存储的影响
- AI服务器需求快速增长,2022年全球AI服务器采购中,Microsoft、Google、Meta、AWS占66.2%,中国地区ByteDance采购比例最高。
- AI服务器的DRAM和NAND需求远高于普通服务器,为存储行业带来增量需求。
存储技术发展趋势
- HBM:HBM3已发布,传输速率可达665GB/s和1075GB/s,有望在AI服务器中广泛应用。
- 存算一体:包括近存计算(PNM)、存内处理(PIM)、存内计算(CIM)三种技术路径,特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂正在布局。
- 3D NAND:通过多层堆叠技术突破容量瓶颈,实现容量、速度、能效和可靠性多方面提升。
存储行业前景
- DRAM市场:预计2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%,行业有望触底回升。
- NAND市场:市场有望快速修复,2023年H2可能迎来需求复苏。
- 行业周期:存储行业具有显著周期性,当前处于周期底部,未来有望向上修复。
重点关注标的
| 公司名称 | 主要亮点 |
|---|---|
| 兆易创新 | 业绩高速增长,平台化公司 |
| 北京君正 | 收购进入存储市场,业绩和利润率修复 |
| 雅克科技 | 全球前驱体核心供应商,受益高性能存储需求 |
| 东芯股份 | 国内SLC NAND龙头,短期业绩有望修复 |
| 深科技 | 存储芯片封测领先者,定增加码产能 |
| 普冉股份 | 存储行业新星,发力工业控制和车载领域 |
| 佰维存储 | 存储芯片小巨人,短期业绩承压 |
| 香农芯创 | AI服务器需求增长,带动内存需求提升 |
风险提示
- 下游需求不及预期
- 新品迭代不及预期
图表目录摘要
- 图表1-3:展示ChatGPT模型训练需求与数据量增长情况
- 图表4:GPT-3与GPT-4算力对比
- 图表5-6:展示3D堆叠封装对成本与性能的影响
- 图表7-8:全球服务器出货量及市场规模预测
- 图表9-10:AI服务器出货量及采购占比
- 图表11-12:英伟达DGX A100与H100产品对比
- 图表13-14:H100/A100/V100产品算力对比及平台升级
- 图表15:华为Atlas 800训练服务器配置
- 图表16-17:美光2023年Q2业绩及指引
- 图表18-19:三星与海力士2022年业绩及分产品表现
- 图表20-23:DRAM市场周期、市场规模及应用分布
- 图表24-29:各代DRAM产品演进及市场结构
- 图表30-39:DRAM供需状况、价格变动及库存情况
- 图表40-41:NAND Flash结构及基本构成
- 图表42-43:NAND Flash性能及应用形态
- 图表44-45:NAND Flash市场格局及预测
总结
本文详细分析了AI革命对存储行业的影响,指出AI对算力和存力需求的双重驱动,以及存储行业在周期性波动下的修复预期。同时,文章强调了HBM、存算一体、3D NAND等存储技术的发展趋势,并对国内存储产业链公司进行了重点分析,认为其有望在2023年实现快速成长和产品结构升级。整体来看,存储行业面临短期压力,但长期仍具备增长潜力,AI驱动下的需求变化将成为行业复苏的重要推动力。
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