存储行业报告_AI需求和制程升级_行业加速步入新一轮增长周期_31页_3mb

行业研究分析：半导体与半导体生产设备（2025年6月21日）

存储行业报告

核心观点
受供需结构优化及AI需求拉动，DRAM行业景气度回升，2025年第二季度价格上涨超预期，行业逐步步入新一轮增长周期，推荐“维持推荐”。

一、价格与供需分析：结构优化推动增长

1. DRAM价格回升

   • 经过24Q4和25Q1的库存消化，DRAM价格在25Q2全线上涨，尤其是利基型芯片涨幅显著（部分DDR3/DDR4涨价40-70%），但DDR5仍保持相对平稳。
   • 三季度价格上涨空间仍被看好，受消费电子旺季（AI PC/手机）及服务器端需求提振。
   • 行业库存水平健康，客户端存货周转天数降至158天，供需结构逐步改善。

2. 25-27年供需预测
   全球DRAM供需比从2024年的1.12逐步下降至2027年，进一步改善，技术升级带动位元需求增长。

二、供应端变化：技术路线升级加速

1. 原厂产能结构调整

   • 大厂（三星、SK海力士等）加速退出DDR4，提升DDR5/LPDDR5/HBM占比，三星计划2025年DDR5/LPDDR5产品占比超80%。
   • 英伟达推动的SOCAMM标准将取代传统DDR5接口，LPDDR5X需求激增，助力AI端侧应用。

2. HBM需求爆发

   • AI服务器拉动HBM出货量及销售额占比，2028年全球HBM销售额预计将占存储芯片29%，出货量占比15%。
   • HBM迭代从HBM3e到HBM4，带宽从1.2TB/s升级到2TB/s，三星/AMD/Rubin等下一代GPU平台需高容量HBM支持。

三、需求端分析：AI驱动终端扩容

1. 智能手机

   • 智能手机DRAM容量从6.6GB增至13.2GB，AI大模型参数从7B升级至130B，内存需求从16GB跃升至24GB以上，LPDDR5T/5X成关键。

2. AI服务器

   • AI服务器出货量2026年达150万台，DRAM容量从1.8TB增至2.3TB，HBM需求高速增长（2024-2027年CAGR 43%）。

3. PC AI化浪潮

   • AI PC渗透率从19%增至60%，单机DRAM从7.8GB增至17.7GB，SOCAMM推动LPDDR5X替代DDR5，带宽需求达70GB/s。

四、技术趋势与产业影响

1. DRAM 3D化进程

   • 4F2技术（电容晶格堆叠）成主流路径，叠加Hybrid Bonding，提升集成度（16层以上堆叠）。
   • 国内长鑫科技逐步退出DDR4，向3D DRAM/DDR5迁移，资本开支增至明年。

2. Hybrid Bonding技术崛起

   • 2.5D DRAM需Hybrid Bonding实现高密度互联，SK海力士已于HBM4中导入，叠高等级堆叠需此技术支撑。

五、投资建议（买入/增持）

1. 重点推荐公司

   • 澜起科技
     • SOCAMM标准业务渗透，CXL协议带动MXC芯片增长，PCIe Retimer高速增长，维持“买入”。
   • 兆易创新
     • 利基型DRAM涨价受益，与长鑫合作增强，DDR5产品布局推进，维持“增持”。
   • 江波龙、佰维存储
     • 消费电子端DRAM景气度回升，AI业务增长动能强劲。
   • 精智达
     • 国产设备龙头，测试解决方案订单增长，HBM检测设备需求激增。

2. 风险提示

   • 下行：DRAM价格回暖不及预期、宏观经济波动、国产厂商产能释放延迟；上行：AI需求超预期、技术替代风险。