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深圳光博会总结：光互联产业升级，新技术加速迭代

核心内容概述

2026年中国光博会（CIOE·2026）于9月9日至11日在深圳举办，展示了国内光互联产业的全面升级与技术突破。从产能承接转向技术引领，光通信行业在光模块、光芯片、硅光、薄膜铌酸锂（TFLN）及全光交换（OCS）等多个领域取得显著进展。AI等高端需求的推动下，行业正迈向新的发展阶段。

主要观点

• 光模块技术迭代加速：行业已形成量产、验证、预研的清晰节奏，800G成为出货主力，1.6T进入规模化放量阶段，3.2T/6.4T NPO、12.8T XPO等前沿产品持续试点。
• 国产光芯片追赶加速：国产CW光源已进入同步竞争阶段，400mW级产品多厂商同台亮相。100G EML实现量产，200G EML预计2027年批量出货。
• 硅光技术渗透率提升：硅光PIC技术在1.6T可插拔、3.2T NPO/CPO等场景中展现设计能力，制造端国产化加速。
• 薄膜铌酸锂技术产业化提速：TFLN凭借高带宽、低插损、低功耗等优势，成为3.2T及NPO/CPO场景的核心方案，行业痛点逐步改善，代工平台陆续建成。
• 无源器件升级显著：在NPO、CPO、OCS等新技术驱动下，无源器件向高密度、专用化、系统级方案演进，用量与规格双提升，国产替代加速。
• OCS全光交换迎来拐点：OCS技术从谷歌定制扩展至全球主流厂商，成为AI智算集群互联的核心方案，市场空间显著扩容。

关键信息

光模块发展

• 800G光模块为主力，1.6T进入规模化阶段。
• 3.2T/6.4T NPO和12.8T XPO等前沿产品进入试点。
• 国内头部企业如中际旭创全面布局，二线厂商加速追赶。

光芯片与硅光

• 国产光芯片实现高功率化，400mW级CW光源已有多家厂商展示。
• 100G EML量产，200G EML预计2027年出货。
• VCSEL因低功耗和低成本优势，成为AI内部短距互联的潜在方案。
• 硅光PIC技术覆盖1.6T可插拔、3.2T NPO/CPO等场景，国产制造能力提升。

薄膜铌酸锂（TFLN）

• TFLN成为3.2T及NPO/CPO场景的核心增量方案。
• 材料优势显著，行业进入产业化攻坚阶段。
• 小尺寸调制器、大尺寸晶圆逐步落地，国内外代工平台建设加速。

无源器件升级

• 新技术推动无源器件用量与规格双升级。
• 光纤阵列、小型化连接器、Shuffle布线、偏振光学组件等新品密集推出。
• 国内厂商已实现AWG、FAU、连接器等核心产品规模化量产，覆盖多技术路线。

OCS全光交换

• OCS技术从谷歌定制扩展至英伟达、华为、新华三等全球巨头。
• 市场规模预计从2026年的25亿美元增至2030年的80亿美元。
• MEMS为当前主流，PIC芯片级集成是未来发展方向。
• 国内产业链全面突破，具备自主量产能力。

投资策略建议

• 聚焦光模块龙头：如中际旭创等企业，具备技术壁垒和行业引领地位。
• 关注新技术赛道：包括TFLN、OCS、高端光芯片及无源器件升级。
• 行业整体呈现国产替代趋势，成长空间广阔。

风险提示

• 全球云厂商AI资本开支不及预期。
• 新技术商用进展不及预期。
• 国产光芯片良率爬坡与可靠性验证不及预期。
• 技术路径替代风险。
• 地缘政治与出口管制风险。
• 行业竞争加剧。

总结

2026年深圳光博会标志着中国光互联产业从产能代工迈向技术引领与全链自主的新阶段。随着AI算力需求的激增，光模块、光芯片、硅光、TFLN和OCS等关键技术加速迭代，推动行业向高密度、高端化发展。国内厂商在多个领域实现突破，国产替代进程加快，为未来行业发展奠定坚实基础。