电子行业:DRAM行业深度报告,期待国产产能释放改变全球供给格局-20180504-东北证券-19页-1mb
报告摘要
DRAM行业深度报告总结
核心内容
- DRAM市场爆发:2017年全球存储器市场增长率达60%,首次超越逻辑电路成为半导体第一大产品。DRAM市场占有率保持第一,三巨头(三星、SK海力士、美光)合计市占率超过95%。
- 技术与产能格局:三星、SK海力士、美光均采用IDM模式,保持技术领先。国内厂商如福建晋华、合肥长鑫、长江存储、兆易创新等正积极布局,2018年将实现量产,有望逐步改变市场格局。
- 市场需求与增长:移动终端、服务器和PC仍是DRAM消费三大主力,合计占比达86%。2018年DRAM需求预计继续增长,尤其是服务器因5G、云计算和IDC的推动,增长率将居首。
- 未来趋势:传统DRAM技术短期内难以被替代,3D DRAM技术可能成为未来演进方向。技术瓶颈导致产能增速放缓,但需求拉动使DRAM保持量价齐增态势。
- 产业链分析:国内在晶圆制造环节仍依赖进口,但设备厂商如兆易创新、北方华创、长川科技发展势头良好,有望受益于国产替代进程。
主要观点
- 市场增长动力强劲:2017年DRAM平均售价同比上涨77%,销售总值达720亿美元,同比增长74%。2018年全球DRAM产能预计增长10%,市场进入持续量增涨价周期。
- 技术发展与竞争:三星在10nm级DRAM制造上领先,SK海力士受益于服务器市场增长,美光在1xnm制程上加快布局。三巨头在技术上保持领先,国内厂商尚处于起步阶段。
- 国产替代机遇:随着国内厂商产能逐步释放,国家政策支持,存储器产业有望实现突破。兆易创新、北方华创、长川科技等设备厂商具备较大发展潜力。
- 行业风险提示:行业竞争加剧、需求增长不达预期、良率问题、新技术不确定性等。
关键信息
2018年DRAM市场预测
- 产能增长:预计2018年全球DRAM产能增长10%,三巨头主导产能增长。
- 价格走势:2018年DRAM价格继续上涨,带动盈利提升。
- 终端需求:移动终端需求增长18.7%,服务器需求增长26.1%,PC需求小幅提升。
国内厂商产能与技术
- 福建晋华:32nm工艺,2018年建成月产能6万片,2025年达24万片。
- 合肥长鑫:19nm工艺,2018年底前试产,2019年底月产能达12.5万片。
- 长江存储:2018年投产,2020年形成月产能30万片,涵盖DRAM产品。
- 兆易创新:与合肥产投合作,开展12英寸晶圆、19nm工艺存储器研发,月产能2000-3000片。
重点公司财务数据
| 重点公司 | 现价(元) | 2017A EPS | 2018E EPS | 2019E EPS | 2017A PE | 2018E PE | 2019E PE | 评级 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 兆易创新 | 174.59 | 1.98 | 4.24 | 5.74 | 88.18 | 41.18 | 30.42 | 买入 |
| 北方华创 | 49.32 | 0.27 | 0.56 | 0.81 | 182.67 | 88.07 | 60.89 | 买入 |
| 长川科技 | 68.90 | 0.72 | 1.06 | 1.41 | 95.69 | 65.00 | 48.87 | 买入 |
行业数据
- 成分股数量:38只
- 总市值:4618亿元
- 流通市值:3151亿元
- 市盈率:53.73倍
- 市净率:3.60倍
- 总营收:1194亿元
- 总净利润:59亿元
- 资产负债率:51.92%
技术对比与发展趋势
- 存储器分类:DRAM、NAND Flash、NOR Flash,其中DRAM和NAND Flash占95%。
- DRAM工艺:目前主要为18nm,向16nm、10nm演进,未来3D DRAM可能成为主流。
- 3D DRAM优势:高密度容量、寄生阻容减少、延时串扰降低。
结论
2018-2020年,DRAM市场仍将面临技术瓶颈和国际大厂垄断的挑战,但下游需求的持续增长将推动其进入长期涨价周期。国内厂商的产能释放将逐步改变全球供给格局,重点关注设备厂商如兆易创新、北方华创、长川科技等,它们将在国产替代进程中受益。
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