电子行业11月周专题:算力需求驱动增长,HBM产业链迎来新机遇_10页_764kb
报告摘要
电子11月周专题总结(11.20—11.24)
核心内容
本报告聚焦于HBM(高带宽内存)产业链的发展趋势与投资机会,分析了HBM在高算力需求驱动下的市场增长潜力,以及其技术演进对上游产业链的影响。报告指出,随着AI、高性能计算等领域的快速发展,HBM作为新一代高性能存储解决方案,正迎来广阔的市场空间。
主要观点
1. HBM性能显著优于传统内存产品
- 高带宽与低功耗:HBM通过3D堆叠封装技术,相比GDDR5/6,能够实现更高的带宽和容量,同时降低功耗和占用面积。
- 性能对比:以HBM2E为例,其单字节功耗较GDDR5下降约1/3,内存容量从8GB提升至16-32GB。
- 面积减少:HBM的表面积比GDDR5减少超过94%,有助于提升设备集成度。
2. HBM市场需求快速增长
- AI服务器需求:AI服务器对HBM的需求远高于普通服务器,HBM用量可超过500GB,DDR5用量为普通服务器的2-4倍。
- 市场规模预测:TrendForce预计2025年HBM市场规模将突破100亿美元,Mordor Intelligence数据显示,2023年HBM市场规模为20.4亿美元,预计2028年达63.2亿美元,CAGR超过25%。
- 产品迭代:HBM平均每2-3年更新一代,HBM3E已量产,HBM4正在研发中,预计2025年供货。
3. HBM技术方案持续升级
- HBM4技术发展:三星正在研发HBM4,将采用NCF(非导电粘合膜)组装技术和混合键合HCB技术,以优化高温热特性。
- SK海力士布局:SK海力士计划将HBM4直接堆叠在处理器上,减少中介层依赖,并可能与英伟达共同设计芯片,委托台积电生产。
4. HBM市场格局由SK海力士与三星主导
- 市场占有率:2022年,SK海力士市占率50%,三星市占率40%,美光仅占10%。
- 未来趋势:预计2024年SK海力士与三星市占率将维持在47-49%之间,美光因研发和量产进度缓慢,市占率可能降至3-5%。
关键信息
技术环节
- MUF塑封底填 和 TSV硅通孔 是HBM封装的关键技术,相关产业链公司有望受益。
相关标的
- 华海诚科:国内环氧塑封料龙头企业,68系列通过通富微电验证,900系列正在多家客户处测试。
- 联瑞新材:硅微粉生产领先企业,供应HBM封装材料所需的球硅和球铝。
- 壹石通:提供Low-a球形二氧化硅和氧化铝,定增项目已进入调试阶段,产能储备充足。
- 雅克科技:子公司华飞电子供应电子封装用二氧化硅填料,产品已稳定供货。
- 晶方科技:晶圆级硅通孔(TSV)封装技术领先者,正拓展至MEMS领域。
- 天承科技:专注于湿电子化学品,二期项目将用于先进封装和TSV生产。
风险提示
- HBM4封装技术方案变化风险:SK海力士可能调整HBM4技术路线,影响产业链布局。
- 算力需求不及预期风险:若AI算力发展不及预期,将影响HBM市场需求。
- 下游验证风险:上游材料厂商仍处于验证阶段,若客户验证结果不佳,将影响量产进度。
投资建议
- 评级:强于大市(维持)
- 建议关注环节:MUF塑封料、TSV硅通孔技术、HBM封装材料相关企业。
- 主要标的:华海诚科、联瑞新材、壹石通、雅克科技、晶方科技、天承科技等。
附:分析师信息
- 分析师:熊军、王晔
- 执业证书编号:S0590522040001、S0590521070004
- 邮箱:xiongjun@glsc.com.cn、wye@glsc.com.cn
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