深度报告-20240331-华创证券-电子行业深度研究报告_AI浪潮汹涌_HBM全产业链迸发向上_28页_2mb
报告摘要
HBM行业分析报告总结
核心驱动因素
- AI需求爆发:ChatGPT等大模型推动算力提升,HBM成为解决“内存墙”问题的核心方案。
- 市场规模增长:2024年HBM市场规模预计达169亿美元,同比增长288%,占DRAM产值比重或提升至201%。
- 技术迭代:HBM已迭代至HBM3E,单颗芯片显存容量达192GB,带宽突破118TB/s。
竞争格局
- SK海力士:2022年市占率50%,HBM3技术领先。
- 三星与美光:三星份额逐步提升,美光专注HBM3E。
- 全球供应紧张:2024年各厂商产能扩张加速,订单量提前锁定。
关键技术与成本
- TSV(硅通孔技术):成本占比近30%,是前道核心工艺,涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光等环节。
- 混合键合技术:未来主流堆叠工艺,显著提升互联密度和散热效率,设备单价达200-250万欧元。
- MR-MUF(批量回流模制底部填充):SK海力士关键技术,散热性能优于传统工艺。
产业链机会
- 材料端:
- 雅克科技(前驱体)、华海诚科(环氧塑封料)、德邦科技(底填胶)、沃格光电(玻璃基板)、上海新阳(电镀液)。
- 设备端:
- 拓荆科技(混合键合设备)、华海清科(减薄抛光机)、中微公司(TSV刻蚀)、北方华创(薄膜沉积)、芯源微(清洗设备)。
- 封测端:
- 通富微电(Chiplet封装)、长电科技(2.5D/3D封装)、深科技(存储芯片封测)。
- 经销商:
香农芯创(SK海力士HBM国内代理)。
行业风险
- 产能与技术追赶风险:国内厂商与国际领先技术差距较大。
- 产品迭代风险:AI芯片需求可能加速技术迭代。
- 竞争加剧风险:市场参与者增多,可能导致行业盈利能力下降。
投资逻辑
- HBM需求由AI驱动,市场规模高速增长。
- 关键工艺TSV、混合键合及材料领域国产替代机会突出。
- 短期关注存封测环节受益标的,长期聚焦技术壁垒高的设备和材料企业。
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