20190919-广发证券-化合物半导体:发展前景广阔,_国产替代有望加速_14页_1mb
报告摘要
化合物半导体行业分析总结
核心内容概述
化合物半导体包括砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等材料,因其在高频、高功率、高温等应用场景中的优异性能,已成为5G、新能源、智能电网、汽车电子等领域的重要基础材料。随着5G通信技术的发展和国家政策的扶持,化合物半导体行业前景广阔,国产替代进程有望加速。
主要观点
- 砷化镓半导体:主要用于微波功率器件,是5G通信中的关键材料。随着5G传输速度的提升,砷化镓功率放大器(PA)和射频开关器(RF Switch)的需求大幅增长。2017年全球砷化镓元件市场总产值约为88.3亿美元,代工模式逐渐成为主流,中国台湾稳懋是该领域的龙头企业。
- 氮化镓半导体:作为第三代宽禁带半导体材料,氮化镓具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率等优点,适用于高温、高频、大功率器件。氮化镓市场潜在规模达94亿美元,全球主要厂商如MA-COM已实现高毛利率,预计未来将广泛应用于新能源、智能电网等领域。
- 碳化硅半导体:SiC材料具备高耐压、低导通电阻、高频等特性,适用于深井钻探、太阳能逆变器、电动汽车等高功率电源转换领域。2016年全球SiC市场约5亿美元,预计未来有望超过20亿美元。
- 国产替代加速:国家政策支持,如《国家集成电路产业发展推进纲要》,推动化合物半导体国产化进程。三安光电作为国内重要参与者,已取得关键客户认证,并与行业标杆企业展开合作,逐步实现技术突破和产能扩张。
关键信息
市场规模与增长
- 砷化镓市场:2017年总产值约88.3亿美元,预计未来将持续增长。
- 氮化镓市场:潜在规模达94亿美元,预计随着技术成熟和应用拓展,市场渗透率将提高。
- 碳化硅市场:2016年约5亿美元,未来有望突破20亿美元。
代工模式发展
- 砷化镓代工模式逐渐成熟,稳懋为全球龙头。
- 三安光电通过成立子公司三安集成电路,切入化合物半导体领域,已形成GaAs/GaN外延片和芯片生产能力。
- 三安光电与GCS合资成立三安环宇,提升技术实力和市场竞争力。
国内企业进展
- 三安光电已取得国内重要客户的合格供应商认证。
- 射频业务已实现批量供货,产品涵盖2G-5G手机射频功放、WiFi、物联网、通信基站等。
- 电力电子业务推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及MOSFET、GaN功率器件,应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等。
- 光通讯业务具备DFB、VCSEL、PD/APD等数通产品生产能力,应用于光纤通信、数据中心等。
政策支持
- 《国家集成电路产业发展推进纲要》将集成电路产业上升为国家战略,推动制造、设计、封测等环节发展。
- 国家提供产业基金、税收优惠、金融支持等措施,助力国内企业提升技术水平和市场竞争力。
风险提示
- 行业发展速度可能低于预期。
- 行业竞争加剧可能影响利润空间。
- 新技术渗透率可能低于预期,影响市场拓展速度。
重点公司:三安光电
- 公司背景:成立于2014年,专注于化合物半导体领域。
- 技术进展:已掌握GaAs和GaN工艺技术,具备射频、电力电子、光通讯等多领域生产能力。
- 财务表现:2018年半年报显示,已与国内重要客户建立合作关系,业务进展顺利。
- 融资与扩张:2019年引入战略投资者,获得54亿元增资,改善现金流和财务结构。
行业趋势
- 5G通信推动砷化镓需求增长,氮化镓和碳化硅将逐步替代传统硅基材料。
- 国产替代进程加快,政策支持和市场机遇为国内企业带来发展机遇。
- 代工模式成为行业主流,提升生产效率和降低成本。
图表与数据来源
- 数据来源包括Strategy Analytics、Qorvo、MA-COM、Rohm、Mitsubishi Electric、Wind、广发证券发展研究中心等。
- 图表涵盖市场规模预测、技术对比、公司进展、毛利率变化等内容,直观展示行业发展态势。
总结
化合物半导体行业因5G通信、新能源、智能电网等新兴技术的发展而迎来快速增长。砷化镓、氮化镓、碳化硅等材料在各自领域展现出显著优势,成为未来半导体产业的重要组成部分。国家政策支持和国产替代加速,为国内企业提供了良好的发展机遇,三安光电作为国内代表企业,已在多个领域取得突破,具备较强的市场竞争力。然而,行业仍面临发展速度、竞争和新技术渗透等风险,需持续关注。
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