TMT硬件行业深度-碳化硅-搭乘新能源发展东风-安信国际证券_34页_2mb

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有优异的耐热性、耐压性和低导通损耗等特点，在高压功率器件和高功率射频器件领域应用广泛。以下是报告的核心分析总结。

核心观点方面，SiC器件相比前两代半导体材料（硅和锗）优势显著，包括更高的效率、更快的开关速度和更小的能量损失，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能和通信等领域。预计到2027年，全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至63亿美元，复合年增长率（CAGR）超过34%。新能源汽车是最大下游应用市场，SiC器件能提升车辆续航能力和充电速度，预计到2027年，新能源车应用在SiC市场中的份额将达79%。

下游需求和市场规模分析显示，SiC器件市场需求旺盛，尤其受新能源汽车里程焦虑问题推动。SiC渗透率有望在2024年突破10%，主要驱动力包括碳中和政策、新能源车功率提升和器件价格下降。同时，光伏应用中SiC器件可降低能量损失50%以上，全球光伏新增装机量预计到2026年增长156%，SiC器件渗透率提升将扩大其市场规模。

行业竞争格局方面，SiC产业链上游衬底和外延环节被美、日、欧企业主导，如Wolfspeed、II-VI等，合计市场份额超90%。中下游器件制造则由跨国公司如Infineon、STMicro主导，国内企业如三安光电、斯达半导和天岳先进发展迅速，但在关键技术节点和产品良率上仍有差距，国产替代面临挑战。寡头垄断导致产品供不应求，厂商纷纷扩大产能。

公司推荐包括海外企业Wolfspeed、OnSemi、STMicro、Infineon，以及国内企业三安光电（600703SH）、天岳先进（688234SH）和斯达半导（603290SH）。这些公司通过技术合作和产能扩张，在SiC领域占据重要位置。

风险提示包括新能源汽车销量不及预期、行业竞争加剧、国产替代进度缓慢，以及国际政策变化等潜在因素。

总体而言，SiC半导体搭乘新能源和绿色发展趋势，行业前景广阔，政策支持力度大，但需克服技术和产能瓶颈以实现广泛应用和国产替代。预计未来SiC器件价格将下降，进一步扩大市场渗透率。