深度报告-20230112-安信国际证券-TMT硬件行业深度_碳化硅_搭乘新能源发展东风_34页_2mb

报告摘要

碳化硅（SiC）是一种突破性的第三代半导体材料，相较于第一代硅（Si）和第二代砷化镓（GaAs），SiC具有更宽的禁带宽度、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速率和更高的击穿电场强度，使其在高压、高温和高频环境中表现出色。这些特性使SiC器件在新能源汽车、光伏、储能、通信等领域具有显著优势。

性能优势：SiC器件具有高效率、开关速度快、低导通损耗、高能量密度和良好的热稳定性，能够显著降低电能转换系统成本并提升新能源车续航能力。
市场前景广阔：Yole预计，全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元，年复合增长率（CAGR）超过34%。新能源车将成为SiC市场的主要驱动力，预计至2027年将占全球SiC市场的79%。
技术壁垒与竞争格局：目前，SiC上中游产业链主要由美、日、欧企业主导，如Wolfspeed、II-VI、SiCrystal等，全球市场占有率总和超过90%。国内企业在技术、良率和性能方面仍与海外领先企业存在差距，短期内实现国产替代难度较大。
政策支持：多个国家和地区出台政策推动第三代半导体发展，包括欧盟的SPEED计划、美国的SWITCHES和NEXT计划，以及中国的“十四五”规划和相关税收优惠政策，为SiC行业提供重要支持。
产业链价值分布：SiC衬底材料成本占比最高，达到35%以上，是推动SiC器件价格的关键因素。未来随着8英寸衬底的量产和良率提升，SiC器件价格有望下降，进一步扩大市场应用。
公司推荐：包括Wolfspeed、On Semi、ST Micro、Infineon等海外公司，以及三安光电、斯达半导、天岳先进等国内企业。这些公司在SiC领域具备一定的技术实力和市场地位。

海外企业主导：Wolfspeed、On Semi、ST Micro、Infineon等企业占据全球SiC市场的主要份额，其中Wolfspeed市场份额最大，达14%。
国内企业进展：三安光电、斯达半导、天岳先进等企业在SiC领域取得一定进展，但技术、良率和性能仍需进一步提升。

Wolfspeed (WOLF.US)：全球SiC产业龙头，提供从衬底制造到器件生产的全流程服务。公司已建成全球最大的8英寸SiC衬底生产基地，技术领先。
On Semi (ON.US)：提供从衬底到器件的全流程服务，2022年与各大客户签订40亿美元的长期供应合同。
ST Micro (STM.US)：全球SiC功率器件市场份额约为38%，与Soitec合作引进8英寸SiC技术。
Infineon (IFNNY.US)：全球SiC功率器件市场占有率约为21%，产品线覆盖广泛。

三安光电 (600703.SH)：在SiC领域实现多点突破，2021年募资35亿元用于SiC芯片研发和产业化项目，产品已应用于新能源车等领域。
斯达半导 (603290.SH)：国内SiC IGBT器件国产化领军企业，产品覆盖600-3300V电压等级，与Wolfspeed合作开发1200V SiC功率模块。
天岳先进 (688234.SH)：专注于SiC衬底研发与制造，2020年全球半绝缘型SiC衬底市场占有率达30%，已实现8英寸导电型衬底研发突破。