其他专用设备行业:CCZ新工艺革新,设备高端力推产业升级-20180528-安信证券-13页-1mb
报告摘要
单晶硅技术革新与产业升级分析总结
核心内容概述
本文主要围绕单晶硅生长技术CCZ(Continuous Czochralski)的革新与应用展开分析,探讨其相较于传统RCZ(Recharged Czochralski)技术的优势,以及其在推动光伏行业产业升级中的潜力。同时,文章分析了协鑫通过收购SunEdison资产,掌握CCZ与FBR技术,加速单晶硅产能扩张的布局,并指出设备制造商将从中受益。
主要观点
1. CCZ技术优势显著,是单晶硅片生长技术趋势
- 效率提升:CCZ技术可实现一炉8~10根晶棒拉制,相比RCZ技术的4~5根,效率显著提升。
- 成本降低:CCZ技术在拉制过程中减少冷却时间,同时通过优化热场控制降低能耗,从而大幅降低生产成本。
- 产品质量更优:CCZ技术能够实现更均匀的电阻率分布,提升晶棒质量。
- 热场稳定性:通过稳定液面和优化热场设计,CCZ技术可提供更精确的生长控制。
2. 国内外CCZ技术发展现状
- 国外企业主导:目前仅美国SunEdison、GT-AT等少数企业实现了CCZ技术的工业生产。
- 技术瓶颈逐步突破:CCZ技术对高品质颗粒硅和坩埚寿命要求较高,但FBR技术已能生产高品质颗粒硅,且国产坩埚寿命逐步提升。
- 协鑫布局CCZ技术:通过收购SunEdison相关资产,协鑫掌握了CCZ及FBR技术,成为国内CCZ技术的领先者。
3. 单晶硅市场持续增长,设备企业受益
- 产能竞赛加剧:隆基、中环等企业已具备28GW、23GW产能,协鑫计划建设20GW产能,进一步推动行业扩产。
- 设备投资占比高:硅生长炉占单晶硅生产投资的30%~40%,设备商将受益于行业扩产带来的订单增长。
关键信息
技术对比
| 项目 | RCZ技术 | CCZ技术 |
|---|---|---|
| 拉制数量 | 4~5根 | 8~10根 |
| 拉制工序时间 | 约116.74小时 | 约109.74小时 |
| 坩埚寿命 | 约250小时(国产) | 约500小时(国外) |
| 原料要求 | 颗粒硅 | 高品质颗粒硅 |
| 投资成本(1GW) | 硅生长炉投资约1.5~1.88亿元 | 硅生长炉投资约1.5~1.88亿元 |
| 总投资(1GW) | 超2亿元 | 超2亿元 |
企业动态
- 协鑫:2017年3月收购SunEdison资产,获得CCZ及FBR技术;计划在云南曲靖建设20GW单晶硅产能,总投资约90亿元。
- 天通股份:聚焦泛半导体设备与材料,2017年营收同比增长28.82%,净利润增长42.17%,预计2018~2020年营收分别为30.30亿元、41.82亿元、51.41亿元,净利润分别为3.40亿元、5.43亿元、6.68亿元。
- 晶盛机电:光伏及半导体设备双轮驱动,与多家硅片企业深度合作,2018年目标价23.56元,评级为买入-A。
推荐标的
- 天通股份:推荐评级为买入-A,目标价12.30元。
- 晶盛机电:推荐评级为买入-A,目标价23.56元。
风险提示
- 下游扩产不及预期
- 市场竞争加剧
- 新业务推进不达预期
- 下游需求波动
图表目录(关键图表)
- 图1:直拉法原理示意图
- 图5:CCZ技术原理示意图
- 图8:CCZ法与RCZ法晶棒电阻率对比
- 图12:单晶市场份额逐年提高
- 图14:金刚石线在硅片切割未来应用的预测
- 图15:直拉法单晶硅炉工作原理图
- 图16:热场组成图
行业分析
- 投资评级:领先大市-A
- 行业表现:2018年5月25日股价基础上,预计未来6个月投资收益率领先沪深300指数10%以上。
- 市场前景:随着单晶硅市场份额持续上升、成本下降,以及CCZ技术的逐步推广,单晶硅产业将进入快速发展阶段。
总结
CCZ技术作为单晶硅生长技术的革新方向,具备更高的效率、更低的成本和更优的产品质量。协鑫通过收购SunEdison资产,掌握了CCZ与FBR技术,有望引领国内CCZ技术发展。随着单晶硅市场份额的提升和产能扩张,硅生长设备企业将迎来订单快速增长期,天通股份与晶盛机电作为核心设备供应商,具备显著的市场优势与增长潜力。
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