20240705-开源证券-有色金属行业点评报告_三星NAND材料引入新元素_钼下游或迎增量_3页_319kb

钼在半导体领域的应用前景与投资分析

摘要

本文详细介绍了三星在第九代V-NAND闪存制造工艺中应用钼金属作为栅极材料的技术突破，分析了钼金属相比钨的性能优势，探讨了钼资源的供需状况，并提出了相关投资建议。

核心内容

• 钼金属在三星第九代V-NAND量产中替代钨元素，具备高导电性、低电阻和优异耐久性，可提升数据传输速度、存储密度和产品耐用性。
• 钼符合NAND技术发展趋势，可用于实现更多层堆叠，提升器件密度与性能，减少功耗。
• 相比钨材料，钼栅极在小尺寸下电阻率更低，能够兼容3DNAND的结构需求。

资源与需求分析

• 钼全球产量近年下滑明显，2020-2023年产量从298万吨降至26万吨（下滑71%），未来供给增长受限。
• 储量方面2023年反弹至1500万吨，但仍低于2020年水平。
• 钼需求稳步增长，2023年全球消费量同比增长7.7%。其中，半导体应用是新增长点，随着在NAND中的替代应用扩大，预期将推动半导体材料需求增量。

投资建议

配重秤推荐标的“金钼股份”，认为钼需求稳中有升，相关标的在需求结构升级背景下具备增长潜力。

风险提示

• 技术应用进度不及预期；
• 行业产能释放、伴生矿开发加速根据对主产品影响；
• 单体钼矿产量和精矿供应同环比急剧增长。

免责声明

• 本报告所提供观点仅表示分析师当前评估，可能随市场变化而调整；
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从图表看出，钼产业正处于技术结构升级的重要阶段性节点。随着三星替代工艺的成功推广，未来NAND闪存在技术上的升级空间将更大，并伴随新的市场空间开拓。

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