第三代半导体产业发展年度报告_2024_67页_5mb
报告摘要
2024年第三代半导体产业发展总结
核心内容
2024年全球半导体产业销售额同比增长19%,达到6280亿美元。第三代半导体产业作为关键领域,国内市场规模持续扩大,其中功率电子、射频电子和光电子分别增长14.8%、4.5%和0.2%。国内第三代半导体产业在新能源汽车、消费电子、人工智能、5G-A等需求的推动下,呈现快速增长态势。
主要观点
- 市场需求:新能源汽车、消费电子、无线基础设施等是主要增长驱动力,人工智能、AR眼镜、无人机等新兴应用也逐步打开市场。
- 供给能力:国内第三代半导体产业在衬底、外延、芯片器件、模块等环节实现了显著增长,尤其是SiC衬底产能扩张迅速,价格大幅下降。
- 产业格局:SiC材料和芯片制造企业进入全球第一梯队,GaN功率器件企业英诺赛科成为全球市场占有率第一,LED企业占据全球封装市场四席。
- 技术进展:大尺寸单晶生长技术取得突破,SiC和GaN功率器件性能提升,应用领域不断拓展。
- 政策支持:国家“两新”、“两重”、“双碳”等政策推动产业持续发展,大基金三期成立为产业提供资金支持。
关键信息
市场应用
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功率电子:
- 2024年市场规模约176亿元,增速14.8%。
- 新能源汽车领域占比最大,近120亿元,增速19.2%。
- 消费电子市场约21亿元,增速42%。
- 能源与电力市场约7亿元,增速53.2%。
- 数据中心市场约1.6亿元,增速25%。
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射频电子:
- 2024年市场规模约108亿元,增速4.5%。
- 无线基础设施市场占比47.3%,安防与航天市场占比46.8%。
- 无人机等新兴领域开始渗透,预计2029年市场规模将增长至19亿元。
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光电子:
- 2024年市场规模约784亿元,微增0.2%。
- 车用LED、Mini背光、非视觉应用等细分市场增长较快。
生产供给
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功率电子:
- 2024年总产值202亿元,同比增长55%。
- SiC衬底产能350万片,外延215万片,晶圆188万片。
- 国产SiC模块实现大批量供应,SiC MOSFET在新能源汽车主驱系统实现应用。
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射频电子:
- 2024年总产值45亿元。
- GaN射频电子产能基本稳定,国产化率提升。
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光电子:
- 2024年LED总产值1108亿元。
- 企业加大在新型显示和超越照明市场布局。
产业格局
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功率电子:
- SiC材料企业天岳先进、天科合达、瀚天天成、东莞天域等进入全球第一梯队。
- 国产SiC芯片制造企业如芯联集成产品批量供给能力提升。
- 2024年国内SiC功率器件市场渗透率约14%,预计2029年将超过460亿元。
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射频电子:
- GaN射频器件市场保持稳定,英诺赛科、天岳先进等企业产品竞争力增强。
- 国内企业在射频领域占据重要市场份额,竞争力不断提升。
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光电子:
- LED企业营收占全球近60%,在全球封装营收前十企业中占据四席。
- 企业布局新型显示、超越照明等市场,推动技术升级。
技术进展
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功率电子:
- SiC衬底6英寸规模化供货,8英寸开始量产,12英寸研发成功。
- 沟槽型SiC MOSFET工艺流程贯通,6英寸GaN单晶衬底完成工艺开发。
- GaN功率器件耐压水平拓展至1200V-10kV,双面散热、驱动集成封装产品持续推出。
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射频电子:
- GaN射频异质集成技术成为热点,面向移动终端的解决方案启动部署。
- 5G-A技术推动射频电子市场增长,通感一体等新应用带来新机遇。
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光电子:
- Micro-LED红光亮度提升,全彩化技术快速演进。
- 紫外光源与探测、大功率激光器产业化能力提升。
其他进展
- 装备与原材料:国产化率大幅提升,SiC衬底企业进入全球第一梯队。
- 超宽禁带半导体:SiC、GaN等材料和器件技术不断突破。
- 标准进展:行业标准逐步完善,推动技术应用和产品推广。
2025年展望
- 第三代半导体产业将在全球市场复苏和政策支持下,催生更多新增长点。
- 功率及射频电子产值增速有望达到20%以上。
- 未来五年,SiC和GaN市场将保持快速增长,应用领域不断拓展。
- 企业将继续加大研发投入,推动技术迭代和产品创新。
- 供应链合作和国际并购趋势加强,进一步提升产业集中度。
附录:2024年第三代半导体产业大事记(Top10)
- 国内SiC衬底产能同比增长150%,价格快速下滑。
- 国产SiC MOSFET首次应用于新能源汽车主驱系统。
- GaN功率器件出货量翻倍增长,龙头企业市场占有率提升。
- 中国对镓、锗等物项实行出口管制。
- 5G-A技术商用启动,推动射频电子市场增长。
- 苹果、华为等推出GaN充电器,提升消费电子市场渗透。
- 中国卫星通信和商业航天领域取得显著进展。
- 芯片制造企业加大8英寸产线建设。
- 国内企业加大港股上市力度,寻求融资支持。
- 产学研合作加强,推动第三代半导体技术向更多领域拓展。
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