电子行业第三代半导体系列报告之二:政策红利,衬底破局-20210718-光大证券-33页_2mb
报告摘要
第三代半导体产业分析报告总结
核心内容
第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),因其具备宽禁带、高电导率、高热导率等特性,广泛应用于新能源汽车、5G通信、工业控制等领域。相比第一代(硅基)和第二代(砷化镓)半导体材料,第三代半导体在高温、高压、高功率和高频场景中具有更强的性能优势。
主要观点
- 性能优势显著:第三代半导体材料的禁带宽度是硅和砷化镓的近3倍,具有更高的能量密度和更强的耐高压能力。例如,碳化硅MOSFET器件的能量密度约为5-8W/mm,远高于硅基MOS器件的0.5-1W/mm。
- 应用领域广阔:碳化硅主要用于高压和高可靠性场景,如新能源汽车的主驱逆变器、DC/DC转换器等;氮化镓则适用于高频场景,如5G基站、微波雷达等。
- 市场增长迅速:碳化硅功率器件市场规模预计从2018年的4亿美元增长至2027年的172亿美元,CAGR达51%。碳化硅衬底材料市场规模预计从2018年的1.21亿美元增长至2024年的11亿美元,CAGR达44%。
- 国内厂商布局全面:国内厂商在第三代半导体产业链上已实现从衬底、外延到器件的全产业链布局,具备较强的自主可控能力。如天科合达、露笑科技、三安光电、山东天岳等在衬底环节布局,瀚天天成、东莞天域在对外延环节进行布局,比亚迪半导体、闻泰科技、华润微等在器件环节占据优势。
- 国际大厂积极布局:CREE、ROHM、II-VI、ST等国际大厂已加速在碳化硅和氮化镓领域进行投资与技术开发,推动产业快速发展。
- 国内政策支持:中国政府出台多项政策支持第三代半导体发展,包括设立产业基金、推动技术研发、鼓励企业所得税减免等,为产业发展提供良好环境。
关键信息
1. 第三代半导体材料特性
| 材料 | 禁带宽度(eV) | 饱和电子漂移速率(cm/s) | 热导率(W·cm⁻¹·K⁻¹) | 击穿电场强度(MV/cm) |
|---|---|---|---|---|
| Si | 1.12 | 1.0×10⁷ | 1.5 | 0.3 |
| GaAs | 1.43 | 1.0×10⁷ | 0.54 | 0.4 |
| 4H-SiC | 3.2 | 2.0×10⁷ | 4 | 3.5 |
| GaN | 3.4 | 2.5×10⁷ | 1.3 | 3.3 |
2. 碳化硅衬底与外延技术对比
- 衬底类型:
- 导电型:天科合达、露笑科技、三安光电等
- 半绝缘型:山东天岳
- 衬底尺寸:国内厂商主要生产4英寸衬底,6英寸正在逐步实现量产。
- 良率提升:碳化硅长晶技术难度较高,良率提升是影响其应用普及的重要因素。
3. 市场规模预测
- 碳化硅功率器件:预计2027年市场规模达到172亿美元。
- 碳化硅衬底材料:预计2027年市场规模达到33亿美元。
- 氮化镓射频器件:预计2027年市场规模达到34亿美元。
4. 产业链厂商布局
- 设备厂商:露笑科技、三安光电、晶盛机电
- 衬底厂商:三安光电、露笑科技、天科合达、山东天岳
- 外延厂商:瀚天天成、东莞天域
- 器件厂商:三安光电、比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技等
5. 国内厂商表现
- 露笑科技:2021年一期项目点亮100台长晶炉,年产能约4.8万片,预计收入3.12亿元。
- 三安光电:布局化合物半导体全产业链,2020年营收达9.73亿元。
- 天科合达:2016-2019年营收增长迅速,2019年实现收入1.55亿元,近4年复合增长率达128%。
- 山东天岳:2020年营收4.25亿元,主营为半绝缘型碳化硅衬底,业务占比82%。
6. 政策支持
- 《国家集成电路产业发展推进纲要》:2014年发布,鼓励集成电路产业发展。
- 《中国制造2025》:2015年发布,将第三代半导体列为重要发展方向。
- 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》:2020年发布,对符合条件的企业提供企业所得税减免政策。
投资建议
- 关注设备厂商:露笑科技、三安光电、晶盛机电
- 关注衬底厂商:三安光电、露笑科技、天科合达、山东天岳
- 关注外延厂商:瀚天天成、东莞天域
- 关注器件厂商:三安光电、比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技等
风险分析
- 碳化硅良率提升不及预期:技术难度大,良率提升可能影响第三代半导体的普及速度。
- 疫情缓和不及预期:新能源汽车作为碳化硅重要下游,若欧洲市场疫情未缓解,可能影响其放量,进而影响碳化硅需求。
展开完整摘要
试读结束,高清完整版pdf/doc/ppt,请点下载