2023中国功率半导体和第三代半导体行业发展现状和前景分析报告-云岫资本_33页_11mb

2023年中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景分析总结

核心内容概览

功率半导体与第三代半导体作为电力电子领域的核心技术，其发展受到新能源、电动汽车、消费电子等行业的强劲推动。中国已成为全球最大的功率半导体消费国，同时在第三代半导体领域展现出强劲的发展势头和政策支持。

主要观点与关键信息

1. 功率半导体行业现状

• 市场规模：2022年全球功率半导体市场规模达481亿美元，预计至2024年将增长至522亿美元，年复合增长率约为5.46%。中国作为最大消费国，贡献了约40%的市场，2022年国内市场规模为191亿美元，预计2024年将达到206亿美元。
• 主流产品：MOSFET和IGBT是全球市场主流应用，其中MOSFET占41%，IGBT占30%。MOSFET市场保持增长，海外厂商主导，但国产化率快速提升。
• 技术迭代：MOSFET技术正向更高开关频率、更高功率密度及更低功耗方向发展。

2. IGBT行业现状

• 技术发展：IGBT现已发展到第七代，技术迭代围绕栅极及纵向结构变化，向小型化、低损耗、高性能方向发展。
• 市场规模：2022年全球IGBT市场规模持续增长，中国IGBT市场规模同样保持增长，国产化率从2017年的约10%提升至2023年。
• 下游应用：新能源汽车、新能源发电、工业控制是IGBT的主要下游领域。其中，新能源汽车占比最高，达31%，新能源发电占比9%，工业控制占比20%。
• 技术挑战：车规级IGBT技术认证标准高，需满足温度冲击、功率循环、结温及全生命周期可靠性等指标。同时，车规级产品在封装和寿命方面要求更高。
• 光伏应用：光伏行业进入1500V时代，对功率器件性能要求提高。SiC器件在光伏逆变器中能显著提升转换效率和降低损耗，是未来增长的重要驱动力。

3. 第三代半导体发展

• 材料优势：第三代半导体材料（如SiC和GaN）具有更高的禁带宽度、击穿场强和热导率，能够满足高压、高频、高温等严苛条件。
• 应用场景：第三代半导体在新能源汽车、光伏、储能、消费电子等领域展现出显著优势，如提升功率密度、降低系统成本、提高能源效率等。
• 政策支持：中国政府出台多项政策支持第三代半导体发展，如“十三五”国家科技创新规划、“十四五”产业科技创新规划等。多地政府密集出台支持政策，推动第三代半导体产业链布局。

4. 产业链发展现状

• SiC衬底：SiC衬底是产业链最关键的一环，全球面临“缺衬底”难题，中国厂商如山东天岳已占据全球市场30%份额。
• 制造与封装：国内已出现以长飞先进为代表的IDM厂商，具备从外延生长、器件设计到封装制造的全产业链能力。
• 市场机遇：中国在第三代半导体领域拥有设备、材料、制造、应用等全产业链优势，有望建立全球竞争力。

5. 云岫资本在行业中的作用

• 投资与服务：云岫资本是中国领先的科技产业投资服务机构，专注于半导体、新能源、新材料等领域，提供全生命周期服务。
• 成功案例：云岫已助力恒烁半导体、杰华特微电子、佰维存储成功上市，富特科技已过会，飞骧科技、芯旺微电子等已申报IPO。
• 行业地位：云岫资本在2021年被评为“科创板最具贡献机构”，2023年获得“科创板卓越服务团队”称号，并入选北京市经信局“专精特新”FA服务库及科大硅谷“首批全球合伙人”。

总结

中国功率半导体与第三代半导体行业正处于快速发展阶段，受益于新能源、电动汽车等新兴应用的推动，市场增长迅速。尽管海外厂商仍占据主导地位，但国内厂商在技术、制造和政策支持方面不断进步，国产化率持续提升。第三代半导体材料如SiC和GaN在多个领域展现出显著优势，成为未来发展的关键方向。云岫资本作为行业的重要参与者，凭借其专业服务和丰富经验，助力多家企业成功上市，为行业提供了重要的投资与孵化支持。