2022年中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告-亿渡数据_65页_4mb

2022年中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告总结

行业概况与政策背景

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，其性能显著优于传统硅材料，具有耐高温、耐高压、高频等特性。2022年，国家加大了对第三代半导体产业的支持力度，多部门出台政策鼓励SiC等材料的研发与应用，推动其在新能源汽车、5G通信、光伏发电等领域的渗透。

市场规模与竞争格局

市场规模方面，导电型SiC功率器件主要用于新能源汽车、光伏新能源、轨道交通等领域，2027年全球市场规模有望突破600亿美元。半绝缘型SiC基射频器件受益于5G建设，预计2026年达到433亿美元。
竞争格局上，全球SiC市场由少数国际巨头主导，例如Wolfspeed、意法半导体、罗姆等，国内企业面临技术和产能差距。

产业链分析

碳化硅产业链包括衬底、外延、器件制造及终端应用。

• 衬底环节：国外主流厂商已实现8英寸产品量产，国内主要掌握6英寸技术，但良率和产能较低。
• 外延环节：外延设备高度依赖进口，成本占比高，国内企业逐步积累自主技术。
• 器件制造：核心工艺门槛高，国内企业通过研发投入加快国产化进程，尤其在中低压碳化硅器件领域取得突破。
• 下游应用：导电型器件在汽车、轨道交通、智能电网等领域需求旺盛，半绝缘型器件在5G通信中占据高速增长。

技术与成本挑战

尽管SiC技术持续进步，但也存在晶体生长速度慢、缺陷密度高、成本居高不下等问题。近年来，行业通过扩大晶圆尺寸（如转移到8英寸）、优化生产工艺等方式降低成本，促进市场渗透。

代表企业代理

国内代表性企业包括天岳先进（衬底生产）、广东天域（外延制造）、时代电气（轨交应用）、中车时代（功率器件制造）等，积极布局产业链关键环节，推动国产替代。

技术自主与政策支撑

受军事用途限制，我国长期面临SiC技术封锁，近年来的研究和政策投入为国产化替代奠定了基础。未来，需加强本土产业链稳定性，推动技术自主可控。